Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Субструктура и оптические свойства эпитаксиальных наноколончатых гетероструктур GaN/AlGaN/GaN, сформированных на гибридных подложках SiC/porSi
Субструктура и оптические свойства эпитаксиальных наноколончатых гетероструктур GaN/AlGaN/GaN, сформированных на гибридных подложках SiC/porSi
99 000 UZS
Автор
Радам Али Обайд Радам
Количество страниц
Год
2025
Эффект порогового по электрическому полю переключения из высокоомного в низкоомное состояние в образцах CuCr1-xAlxO2 со структурой делафоссита
Эффект порогового по электрическому полю переключения из высокоомного в низкоомное состояние в образцах CuCr1-xAlxO2 со структурой делафоссита
99 000 UZS
Автор
Матасов Антон Владимирович
Количество страниц
Год
2025
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3