Физико-математические науки

Физико-математические науки - 67-0-0
Кибернетическая модель процесса упругой электронной поляризации диэлектрика
Кибернетическая модель процесса упругой электронной поляризации диэлектрика
99 000 UZS
Автор
Еремин Илья Евгеньевич
Количество страниц
Год
2002
Эффекты взаимодействия и фрагментации зерен в процессе формирования текстуры деформации поликристалла
Эффекты взаимодействия и фрагментации зерен в процессе формирования текстуры деформации поликристалла
99 000 UZS
Автор
Ермакова Наталья Юрьевна
Количество страниц
Год
2002
Нелинейный оптический отклик и трансформация размерности экситонных состояний в асимметричных квантово-размерных структурах
Нелинейный оптический отклик и трансформация размерности экситонных состояний в асимметричных квантово-размерных структурах
99 000 UZS
Автор
Тюрин Антон Евгеньевич
Количество страниц
Год
2001
Динамика саморазогрева гетерогенной порошковой смеси чистых элементов титан-алюминий
Динамика саморазогрева гетерогенной порошковой смеси чистых элементов титан-алюминий
99 000 UZS
Автор
Филимонов Валерий Юрьевич
Количество страниц
Год
2001
Фазовые превращения аморфных полупроводников Zn-Sb и Al-Ge при высоких давлениях
Фазовые превращения аморфных полупроводников Zn-Sb и Al-Ge при высоких давлениях
99 000 UZS
Автор
Харкунов Александр Иванович
Количество страниц
Год
2001
Нелинейно-оптическая и фоторефрактивная решетки монокристаллов сложных ниобатов
Нелинейно-оптическая и фоторефрактивная решетки монокристаллов сложных ниобатов
99 000 UZS
Автор
Чаплина Татьяна Олеговна
Количество страниц
Год
2001
Анализ состояния кристаллической решетки вблизи плоских дефектов в ГПУ металлах и сплавах со сверхструктурой D019
Анализ состояния кристаллической решетки вблизи плоских дефектов в ГПУ металлах и сплавах со сверхструктурой D019
99 000 UZS
Автор
Черных Евгения Владимировна
Количество страниц
Год
2001
Свойства компенсированных полупроводников вблизи индуцированного магнитным полем перехода металл-диэлектрик
Свойства компенсированных полупроводников вблизи индуцированного магнитным полем перехода металл-диэлектрик
99 000 UZS
Автор
Чумаков Николай Константинович
Количество страниц
Год
2001
Когерентные явления в полупроводниковых квантовых проволоках
Когерентные явления в полупроводниковых квантовых проволоках
99 000 UZS
Автор
Шелых Иван Андреевич
Количество страниц
Год
2001
Фазовый состав и тонкая структура интерметаллида Ni3 Al, полученного методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза под давлением
Фазовый состав и тонкая структура интерметаллида Ni3 Al, полученного методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза под давлением
99 000 UZS
Автор
Федорищева Марина Владимировна
Количество страниц
Год
2001
Структурные изменения в термодинамически открытых системах Pd-Mo-H и Pd-Ta-H
Структурные изменения в термодинамически открытых системах Pd-Mo-H и Pd-Ta-H
99 000 UZS
Автор
Хан Ха Сок
Количество страниц
Год
2001
Квантовые гальваномагнитные явления в полупроводниках с вырожденным энергетическим спектром носителей тока
Квантовые гальваномагнитные явления в полупроводниках с вырожденным энергетическим спектром носителей тока
99 000 UZS
Автор
Якунин Михаил Викторович
Количество страниц
Год
2001
Модифицирование железорудных матриц алкилсиликонатами натрия для селективного концентрирования радионуклидов из водных сред
Модифицирование железорудных матриц алкилсиликонатами натрия для селективного концентрирования радионуклидов из водных сред
99 000 UZS
Автор
Ястребинский Роман Николаевич
Количество страниц
Год
2001
Статистическая мезомеханика деформации и разрушения
Статистическая мезомеханика деформации и разрушения
99 000 UZS
Автор
Авдеенко, Алексей Михайлович
Количество страниц
Год
2000
Исследование сверхтонких и обменных взаимодействий примесных ионов в кристаллах танталата калия методом электронного парамагнитного резонанса
Исследование сверхтонких и обменных взаимодействий примесных ионов в кристаллах танталата калия методом электронного парамагнитного резонанса
99 000 UZS
Автор
Азамат, Дмитрий Владимирович
Количество страниц
Год
2000
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3