Исследование и разработка методов оценки сечения сбоя и повышения стойкости интегральных запоминающих устройств к воздействию тяжелых заряженных частиц

Специальность 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук

Автор
Смирнова Вера Петровна
Год
2024
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации

Перечень сокращений и обозначений.............................................................. 4
Введение ............................................................................................................. 5
Глава 1. Методы исследования и повышения стойкости ИС к
радиационному воздействию..................................................................................... 12
1.1 Взаимодействие излучения и кремния............................................................12
1.2 Основные типы радиационных сбоев .............................................................15
1.3 Методы повышения радиационной стойкости ..............................................18
1.4 Множественные сбои........................................................................................27
1.5 Сечение сбоев ....................................................................................................28
1.6 Методы моделирования радиационных эффектов ........................................29
Выводы.....................................................................................................................32
Глава 2. Разработка комплексной методики повышения стойкости блоков
микросхем памяти к мягким сбоям........................................................................... 33
2.1 Исследование различных конфигураций буферов на стойкость к ТЗЧ ......33
2.2 Исследование стойкости к ТЗЧ различных конфигураций инвертора........39
2.3 Применение комплексной методики повышения стойкости блоков
микросхем памяти к мягким сбоям.......................................................................44
Выводы.....................................................................................................................53
Глава 3. Моделирование воздействия ТЗЧ на N-МОП структуру в
цилиндрических координатах ................................................................................... 54
3.1. Воздействие ТЗЧ на n-МОП структуру .........................................................54
3.2 Применение цилиндрической симметрии ......................................................56
3.3 Описание моделей трех типов структур в цилиндрических координатах и
решаемых на их основе задач ................................................................................60
3.4 Моделирование N-МОП структуры с единственной n+ областью..............62
3.5 Моделирование N-МОП структуры из пяти колец n+ областей,
разделенных STI......................................................................................................68
3.6 Моделирование N-МОП структуры из пяти колец n+ областей,
разделенных поликремнием...................................................................................72
3.7 Моделирование попадания иона в область STI .............................................78
3.8 Моделирование попадания ТЗЧ в P-МОП структуру ...................................81
3
3.9 Моделирование попадания иона ксенона в МОП-структуру.......................83
Выводы.....................................................................................................................87
Глава 4. Методика расчета сечения сбоя на основе результатов
моделирования распространения диффузионных токов ........................................ 89
4.1 Критерии возникновения сбоя в ячейке памяти ............................................89
4.2 Определение радиуса сбоя, вызванного диффузионным током ..................95
4.3 Методика расчетно-аналитической оценки сечения сбоя ..........................104
4.4 Вычисление сечения сбоя...............................................................................107
4.5 Сравнение результатов расчета с протоколом испытаний микросхемы
памяти.....................................................................................................................114
Выводы...................................................................................................................117
Заключение..................................................................................................... 119
Список литературы........................................................................................123
Приложение – Акты внедрения результатов диссертационной работы...146

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
СОКОЛОВ Дмитрий Васильевич
Количество страниц
135
Год
2024
99 000 UZS
Автор
Соколова Галина Евгеньевна
Количество страниц
543
Год
2024
99 000 UZS
Автор
Спарбер Петр Андреевич
Количество страниц
272
Год
2024
99 000 UZS
Автор
СТЕПАНОВА Елена Александровна
Количество страниц
228
Год
2024
99 000 UZS
Автор
Стрекалова Полина Владимировна
Количество страниц
93
Год
2024
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3