ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение………………………………………………………………………… 4
Глава 1 Биполярный транзистор: обзор исторического
развития и современного состояния теоретических моделей …..……. 14
1.1 Уравнения Эберса-Молла…………………………………..…………….... 14
1.2 Уравнение Шокли для идеального p-n перехода…………………............. 20
1.3 Обобщения модели биполярного транзистора……………………....… 22
Глава 2 Получение аналитических формул, учитывающих
внутреннее сопротивление диода и транзистора …………..………….. 31
2.1 Уравнение для диодной характеристики ……………………….………… 31
2.2 Последовательное соединение диода и резистора………………..........… 33
2.3 Подбор параметров для диодной характеристики……………………….. 35
2.4 Уравнения для транзисторных характеристик………………………..…... 39
2.5 Усилитель на основе включения транзистора с общим эмиттером.
Токовая функция……………………………………………………..…... 46
2.6 Учет стабилизирующего сопротивления…………………………….….… 51
2.7 Экспериментальная проверка и сравнение с результатами
компьютерного моделирования……………..……………………….…. 55
2.8 Границы усилительного режима………..…………………………….…… 64
2.9 Некоторые параметрические зависимости……………………….……..… 68
2.10 Решения, следующие из модели Эберса-Молла………..…….…….…… 70
2.11 Дополнительные замечания о режиме насыщения………….….….…… 76
2.12 Выводы ………………………………………………………..…….…….. 80
Глава 3 Применение полученных соотношений к расчету
усилительных и генераторных схем …………..……………….……….. 83
3
3.1 Двухтактный усилитель ……………………………………………………. 83
3.2 Симметричный триггер………………………………………………..…… 90
3.3 Дифференциальный усилитель……………………………………………. 100
3.4 Токовое зеркало…………………………………………………………….. 103
3.5 Усилитель на основе включения транзистора с общей базой……..……. 106
3.6 Мультивибратор…………………………………………………….……… 110
3.7 Транзисторный аналог генератора Ван-дер-Поля……………….………. 119
3.8 Выводы……………………………………………………………………… 123
Глава 4 Исследование схем, содержащих мемристорные устройства….... 125
4.1 Мемристоры …………………………………………………………….… 125
4.2 Математические модели мемристоров…………………………….….…. 127
4.3 Результаты моделирования: одиночный мемристор …………….….….. 131
4.4. Последовательное соединение мемристора и резистора…………….… 134
4.5. Последовательное соединение мемристора и диода…….……..….…… 135
4.6. Последовательное соединение мемристора с катушкой
индуктивности и с конденсатором………….…………………..…..…. 140
4.7 Сравнение с опытными данными и обсуждение результатов…….……. 143
4.8 Возможная модель формовки мемристора……………………………… 146
4.9 Выводы…………………………………………………………………….. 149
Заключение …………………………………………………………………… 151
Список литературы………………………………………………………..….. 153
