ОГЛАВЛЕНИЕ
Оглавление
Введение ................................................................................................................... 4
Глава 1. Технологии с использованием низкотемпературной плазмы в
микроэлектронике. Методы диагностики плазмы и технологических процессов
................................................................................................................................. 15
1.1. Плазменные технологии в микроэлектронике и конструкции
технологического оборудования ........................................................................... 15
1.2. Плазменные технологические установки, примененные в работе ............... 18
Установка травления Plasmalab Dual .................................................................... 18
1.3. Методики диагностики и измерительное оборудование .............................. 23
1.4. Заключение по главе 1 .................................................................................... 41
Глава 2. Прецизионное анизотропное травление кремниевых наноструктур с
критическими размерами суб-10 нм в непрерывном процессе в
полимеробразующей плазме ................................................................................. 43
2.1. Краткий обзор методов глубокого анизотропного травления кремния ....... 43
2.2. Исследование параметров плазмы смеси SF6 и C4F8 ..................................... 47
2.3. Исследование процесса плазменного травления кремния в смеси SF6 и C4F8
................................................................................................................................. 51
2.4. Исследование проводимости полученных структур, модель образования
дефектов и способы их устранения ....................................................................... 57
2.5. Заключение по главе 2 .................................................................................... 61
Глава 3. Развитие плазмохимического криогенного глубокого травления
кремния: физические основы гетерогенных процессов и технологические
применения, эффекты самоформирования ........................................................... 62
3.1. Возможности процесса криогенного травления кремния и сложности в его
реализации: экспериментальные результаты ....................................................... 63
3.2. Кинетические модели криогенного травления .............................................. 78
3.3. Калибровка модели ......................................................................................... 82
3.4. Моделирование профиля и геометрических дефектов ................................. 92
3.5. Оптимизация структур интегральных конденсаторов высокой емкости ..... 93
3.6. Экспериментальные результаты, полученные в оптимизированных
процессах криогенного травления ........................................................................ 96
3.7. Исследование условий формирования черного кремния .............................. 98
3.8. Заключение по главе 3. ................................................................................. 105
Глава 4. Новые циклические процессы анизотропного травления кремния без
использования полимеробразующей плазмы ..................................................... 108
4.1. Циклический двухшаговый процесс травления кремния Oxi-Etch
(Окисление-Травление) ....................................................................................... 109
4.2. Циклический двухшаговый процесс травления кремния Nitro-Etch
(Нитридизация-Травление) .................................................................................. 124
4.3. Заключение по главе 4. ................................................................................. 129
3
Глава 5. Исследование физико-химических основ технологий структурирования
для ИС с критическими размерами 32 – 28 нм и методов атомно-слоевого
травления High-K диэлектриков ......................................................................... 132
5.1. Исследование процесса сквозного плазмохимического травления HkMG
стека нанотранзистора с критическим размером 32 нм ..................................... 132
5.2. Атомно-слоевое травление диэлектриков с высокой диэлектрической
проницаемостью ................................................................................................... 146
5.3. Исследование механизмов атомно-слоевого травления ............................. 160
5.4. Заключение по главе 5 .................................................................................. 173
6.1. Исследование атомно-слоевое осаждения для формирования затворных
стеков .................................................................................................................... 178
6.2. Сегнетоэлектрические свойства оксида гафния и соединений на его основе
............................................................................................................................... 193
6.3. Заключение по главе 6 .................................................................................. 201
Глава 7. Методы малоповреждающего плазмохимического
микроструктурирования пористых диэлектриков с низкой диэлектрической
проницаемостью для систем металлизации ИС с проектными нормами 45 нм и
менее. .................................................................................................................... 203
7.1. Исследование плазменного травления пористых диэлектриков с
ультранизкой диэлектрической проницаемостью в плазме CBrF3 .................... 205
7.2. Исследование плазменного травления пористых диэлектриков с
ультранизкой диэлектрической проницаемостью в плазме C2Br2F4 ................. 211
7.3. Заключение по главе 7 ............................................................................. 215
Заключение по работе .......................................................................................... 217
Цитируемая литература ....................................................................................... 219
