ВЕДЕНИЕ……………………………………………………………………………….4
ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННЫЕ И ПЕРСПЕКТИВНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ
ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ММ. ДИАПАЗОНА ДЛИН ВОЛН И СПОСОБЫ
ОПИСАНИЯ В НИХ ДИНАМИКИ ЭЛЕКТРОНОВ………………………………. 19
1.1. Традиционные ГСЛ на основе GaAs…………………………………………….20
1.2. Особенности локализации электронов в транзисторных гетероструктурах….26
1.3. Особенности DA-DpHEMT транзисторов на основе гетероструктур с донорноакцепторным легированием…………………………………………………………..31
1.4. Математическая модель электронного транспорта в гетероструктурах с
сильной локализацией электронов…………………………………………………...34
1.5. Заключение по главе 1…………………………………………...……………….42
ГЛАВА 2. ВСПЛЕСК ДРЕЙФОВОЙ СКОРОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В
ТРАНЗИСТОРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ НИТРИДА
ГАЛЛИЯ…………………………………………………………………………….....44
2.1. Всплеск дрейфовой скорости в чистом GaN……………………………………46
2.2. Оценки всплеска дрейфовой скорости в полевых транзисторах на основе
чистого GaN и GaAs………………………………......………………………………47
2.3. Оценка всплеска дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах на основе
GaN……………………………………………………………………………………..57
2.4. Заключение по главе 2.
ГЛАВА 3. ПЕРВЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С ЦИФРОВЫМИ
БАРЬЕРАМИ……………………………………………………………….…………66
3.1. Предпосылки разработки структур с цифровыми барьерами…………………68
3.2. Использование цифровых барьеров в ГСЛ для улучшения подвижности
электронов……………………………………………………………………………..70
3.3. Полевые транзисторы мм. диапазона……………………………………………73
3.3.1 Эпитаксиальный рост структуры, параметры структуры…………………….73
3
3.3.2 Структура транзистора и статические характеристики………………………76
3.3.3. СВЧ характеристики……………………………………………………………79
3.3.4. Анализ экспериментальных результатов……………………………………...84
3.4. Перспективы использования цифровых барьеров в ГСЛ для полевых
транзисторов…………………………………………………………………………..87
3.4.1. Исследуемые структуры……………………………………………………….87
3.4.2. Особенности электронного транспорта в транзисторных гетероструктурах с
цифровыми барьерами………………………………………………………………..89
3.4. Заключение по главе 3……………………………………………………….....104
ГЛАВА 4. ПЕРСПЕКТИВЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ОБРАЩЕННЫХ
ГЕТЕРОСТРУКТУР С ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ И
ЦИФРОВЫМИ БАРЬЕРАМИ В ТРАНЗИСТОРАХ МИЛЛИМЕТРОВОГО
ДИАПАЗОНА ДЛИН ВОЛН………… ……………………………………………107
4.1. Попытки разработки обращённых структур………………………………….110
4.2 Электронные уровни в обращённых гетероструктурах с донорно-акцепторным
легированием………………………………………………………………………...112
4.3. Всплеск дрейфовой скорости в обращенных ГСЛ…………………………...119
4.4. Простейшие оценки границы канала при сильным квантование……………126
4.5. Оптимизация обращённых гетероструктур с донорно-акцепторным
легированием и цифровыми барьерами по всплеску дрейфовой скорости……...130
4.6. Оценка СВЧ характеристик полевых транзисторов на основе разработанных
гетероструктур……………………………………………………………………….138
4.7. Заключение по главе 4…………………………………………………………..140
ЗАКЛЮЧЕНИЕ………………………………………………………………………142
Список литературы ………………………………………………………………..144
Список сокращений и условных обозначений……………………………………..159
Список трудов соискателя………………………………………………..…………162
Личный вклад соискателя…………………………………………………………...166
