ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТНОГО ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА И РАЗРАБОТКА ЕГО УНИВЕРСАЛЬНОЙ КОМПАКТНОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ ПРОЕКТИРОВАНИЯ И ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ГИБРИДНЫХ СПИНТРОННО-ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ

2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств

Автор
Лобкова Мария Дмитриевна
Год
2024
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации

Перечень сокращений и обозначений .............................................................................. 4

Введение .............................................................................................................................. 5

Глава 1. Спинтронные устройства и способы их моделирования ............................. 12

1.1 Магнитный туннельный переход .................................................................... 12

1.2 Моделирование магнитной оперативной памяти с произвольным

доступом .................................................................................................................... 20

1.2.1 Моделирование магнитной оперативной памяти с полевым

переключением ..................................................................................................... 20

1.2.2 Моделирование магнитной оперативной памяти с записью эффектом

переноса спина ...................................................................................................... 22

1.2.3 Моделирование магнитной оперативной памяти с записью спин-

орбитальным переносом спина электрона ......................................................... 24

1.3 Моделирование туннельного магниторезистивного сенсора ......................... 26

1.4 Моделирование спинтронных наногенераторов ............................................. 29

Выводы к главе 1 ....................................................................................................... 30

Глава 2. Разработка универсальной компактной модели магнитного туннельного

перехода ............................................................................................................................ 31

2.1 Маршрут проектирования гибридных спинтронно-электронных схем ........ 31

2.1.1 Микромагнитный подход ........................................................................... 32

2.1.2 Макроспиновый подход .............................................................................. 32

2.2 Стохастическое уравнение Ландау-Лифшица-Гильберта-Слончевского ..... 33

2.2.1 Эффективное и термическое поле ............................................................. 35

2.2.2 Спин-трансферный вращающий момент и спин-орбитальный

вращающий момент .............................................................................................. 45

2.3 Компактная модель магнитного туннельного перехода ................................. 47

2.3.1 Архитектура компактной модели .............................................................. 48

2.3.2 Реализация модели. Численный метод Рунге-Кутты-Хейна ................... 51

2.3.3 Конструкции магнитного туннельного перехода ..................................... 53

Выводы к главе 2 ....................................................................................................... 55

Глава 3. Экспериментальная и микромагнитная верификация модели .................... 57

3.1 Образец и экспериментальная методика ST-FMR ........................................... 57

3.2 Результаты эксперимента ................................................................................... 59

3.3 Калибровка и валидация компактной модели в симулятор схем .................. 62

3.4 Микромагнитная верификация модели ............................................................ 68

Выводы к главе 3 ....................................................................................................... 72

Глава 4. Исследование и разаработка туннельного магнеторезистивного сенсора .............................................................................................................................. 74

4.1 ТМР-сенсор в мостовой схеме Уитстона ......................................................... 74

4.2 Аналитическое исследование электрических характеристик ТМР-сенсора 79

4.2.1 Чувствительность сенсора .......................................................................... 79

4.2.2 Коэффициент передачи сенсора ................................................................. 84

4.2.3 Минимальное поле детектирования .......................................................... 85

4.3 Методика разработки ТМР-сенсора .................................................................. 85

4.4 Разработка ТМР-сенсора .................................................................................... 87

4.4.1 Требования к разработке ТМР-сенсора ..................................................... 88

4.4.2 Подбор конструкционных параметров МТП ............................................ 88

4.4.3 Коэффициент передачи и минимальное поле детектирования ТМР-сенсора ................................................................................................................... 91

4.4.4 Оценка напряжения смещения на дифференциальном выходе сенсора 94

4.4.5 Проектирование ТМР-сенсора ................................................................... 96

Выводы к главе 4 ....................................................................................................... 99

Заключение ..................................................................................................................... 101

Список использованных источников ........................................................................... 104

Акт о внедрении результатов ..................................................................................... 115

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
ЛЮ ХУЭЙ
Количество страниц
Год
2024
99 000 UZS
Автор
ЛЮБИМОВА Анастасия Игоревна
Количество страниц
Год
2024
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3