ВВЕДЕНИЕ.............................................................................................................. 3
ГЛАВА 1. МЕХАНИЗМЫ НАСЫЩЕНИЯ ВАХ В ТРАНЗИСТОРАХ НА
ОСНОВЕ MOS-СТРУКТУРЫ ............................................................................. 11
1.1. Насыщение ВАХ в MOS-транзисторах .................................................... 11
1.2. Конструкция LDMOS-транзисторов......................................................... 14
1.3 Насыщение ВАХ в LDMOS-транзисторах ................................................ 20
1.4 Негативные эффекты, вызываемые квазинасыщением ВАХ.................. 32
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1 ....................................................................................... 35
ГЛАВА 2. МОДЕЛЬ СВЧ LDMOS-ТРАНЗИСТОРА........................................ 37
2.1. Возможности и состав пакета САПР Sentaurus TCAD ........................... 37
2.2 Технологическое моделирование............................................................... 44
2.3 Структурное моделирование ...................................................................... 50
2.4. Оптимизация сетки ..................................................................................... 53
2.5. Расчет и визуализация электропараметров .............................................. 54
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2 ....................................................................................... 62
ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ КОНСТРУКТИВНЫХ ПАРАМЕТРОВ LDMOSТРАНЗИСТОРОВ НА НАСЫЩЕНИЕ ВАХ...................................................... 64
3.1 Моделирование эффекта квазинасыщения ............................................... 64
3.2 Исследование насыщение переходной ВАХ............................................. 71
3.3 Исследование квазинасыщеня выходной ВАХ......................................... 85
3.4 Оптимизация конструкции LDMOS-транзистора для подавления
эффекта квазинасыщения ВАХ ........................................................................ 95
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3 ..................................................................................... 101
ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА МОЩНОГО СВЧ LDMOS-ТРАНЗИСТОРА
ПРИ УЧЕТЕ ЭФФЕКТА КВАЗИНАСЫЩЕНИЯ ВАХ.................................. 103
4.1 Конструкция разработанного прибора .................................................... 103
4.2 Измерение электропараметров разработанного прибора ...................... 107
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4 ..................................................................................... 116
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ................................................................................................... 117
ЛИТЕРАТУРА..................................................................................................... 119
