Введение
1 Методы расчета атомной и электронной структуры твердых тел 11
1.1 Методы теории функционала электронной плотности 11
1.2 Метод псевдопотенциала 15
1.3 Метод проекционных присоединенных волн 17
1.4 Электронная структура и свойства объемных полупроводников А В 21
1.5 Основные выводы 26
2 Атомная и электронная структура поверхности (001) полупроводников А В 27
2.1 Теоретические исследования атомной и электронной структуры реконструированных полупроводниковых поверхностей 27
2.2 Методика расчета атомной и электронной структуры поверхности А В (001) 45
2.3 Атомная и электронная структура основных реконструкций поверхности GaAs(OOl) 49
2.4 Атомная и электронная структура основных реконструкций поверхности (001) полупроводников InAs, GaP и InP 61
2.5 Новая реконструкция поверхности GaAs(OOl) 76
2.6 Основные результаты и выводы 82
3 Адсорбциях галогенов на поверхности А В (001) с реконструкцией ( (4x2) 84
3.1 Теоретическое и экспериментальное изучение поверхности А В (001) с адсорбатами84
3.2 Адсорбция галогенов на поверхности ( -GaAs(001)-(4x2) 89
3.3 Адсорбция галогенов на поверхности ( -InAs(001)-(4x2) 99
3.4 Влияние адсорбции галогенов на энергию связи поверхностных атомов полупроводников А В 108
3.5 Влияние концентрации галогенов на атомную и электронную структуру поверхности с С(4Х2) реконструкцией 113
3.6 Основные результаты и выводы 120
4 Особенности адсорбции галогенов на катион- и анион-стабилизированных полярных поверхностях 122
4.1 Адсорбция галогенов на P3 -InAs(001 )-(4х2) 122
4.2 Адсорбция галогенов на поверхности 1пР(001) со структурой смешанного димера 132
4.3 Адсорбция галогенов на анион-стабилизированной поверхности GaAs(OOl) с Р2(2х4) реконструкцией 136
4.4 Основные результаты и выводы 148
5 Атомная и электронная структура границ раздела между полуметаллическими сплавами Гейслера и полупроводниками А В 150
5.1 Теоретическое изучение интерфейсных свойств границ раздела сплав Гейслера -полупроводник А В 150
5.2 Атомная и электронная структура границы раздела NiMnSb/A В (ПО) 155
5.3 Спиновая поляризация и адгезия на границе раздела (ПО) между полными сплавами Гейслера и GaAs 163
5.4 Основные результаты и выводы 169
Заключение 170
Список сокращений и условных обозначений 172
Список литературы
