Введение
ГЛАВА 1. Обзор литературы 11
1.1 Общие сведения 11
1.1.1 Терминология и список сокращений 11
1.1.2 Реконструкция и релаксация поверхности 12
1.2 Реконструкция поверхности GaAs(OOl) 15
1.2.1 Атомная структура кристалла GaAs 15
1.2.2 Формирование поверхности GaAs(OOl) 16
1.2.3 Реконструкция GaAs(001)-c(4X4) 20
1.2.4 Реконструкция GaAs(001)-2X4/c(2X8) 23
1.2.5 Реконструкции GaAs(001)-nX6 26
1.2.6 Реконструкция GaAs(001)-4X2/c(8X2) 28
1.2.7 Реконструкция G(4X6) 33
1.3 Взаимодействие галогенов с поверхностью GaAs(OOl) 35
1.3.1 Общие закономерности взаимодействия галогенов с поверхностью 36
1.3.2 Взаимодействие XeF2 с поверхностью GaAs(OOl) 38
1.3.3 Взаимодействие С12 с поверхностью GaAs(OOl) 39
1.3.4 Взаимодействие.Вг2 с поверхностью GaAs(OOl) 42
1.3.5 Взаимодействие Ь с поверхностью GaAs(OOl) 42
1.4 Выводы к главе 1 и постановка задачи 45
ГЛАВА 2. Экспериментальная техника, методы и методики измерений 48
2.1 Экспериментальная установка 49
2.2. Измерение температуры 50
2.3 Процедура подготовки поверхности GaAs(001)-4x2 52
2.4 Методика эксперимента и методы измерений 54
2.4.1 Методика эксперимента 54
2.4.2 Электронная оже-спектроскопия 56
2.4.3 Термодесорбционная спектроскопия 57
2.4.4 Дифракция медленных электронов 58
2.4.5 Сканирующая туннельная микроскопия 60
ГЛАВА 3. Основные закономерности взаимодействия молекулярного йода с поверхностью GAAS(001)-4x2 64
3.1 Адсорбция молекулярного йода на поверхность GaAs(001)-4x2 64
3.2. Десорбция йода с поверхности GaAs(001)-4x2 68
3.3 Выводы к главе 3 73
ГЛАВА 4. Атомная структура поверхности GAAS(001)-4x2 74
4.1 Структура атомно-чистой поверхности GaAs(001)-4x2 75
4.2 Структура GaAs(001)-4x2 при низкой степени покрытия атомами йода 77
4.2.1 Заполненные состояния 78
4.2.2 Свободные состояния 80
4.3 Выводы к главе 4 82
ГЛАВА 5. Адсорбционные центры поверхности GAAS(001)-4x2 для атомов йода 83
5.1 Параметры сканирования 83
5.2. Центры зародышеобразования 84
5.3 Формирование хемосорбированного слоя йода 87
5.3.1. Низкая концентрация «духов» 88
5.3.2 Высокая концентрация «духов» 90
5.4. Структура насыщенного монослоя йода (в= 1.0) 93
5.5. Выводы к главе 5 94
ГЛАВА 6. Управление атомной структурой поверхности GAAS(001) 95
6.1 Десорбция йода 95
6.2 Результирующие атомные структуры GaAs(OOl) 98
6.3 Выводы к главе 6 103
Заключение 104
Благодарности 110
Список литературы 111
