Атомно-силовая микроскопия сегнетоэлектрических кристаллов ТГС

Гайнутдинов Радмир Вильевич. Атомно-силовая микроскопия сегнетоэлектрических кристаллов ТГС : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.18 Москва, 2005 123 с. РГБ ОД, 61:05-1/1299
Автор
Гайнутдинов Радмир Вильевич
Год
2005
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Атомно-силовая микроскопия как метод исследования морфологии поверхности кристаллов с высоким пространственным разрешением (Литературный обзор) 8
Принцип действия и основные режимы работы атомно-силового микроскопа 8
Контактный режим АСМ 11
Неконтактный режим АСМ 13
Прерывисто-контактный реэюгт АСМ 14
Режим боковых сил 15
Режим фазового контраста 16
Сканер сканирующего зондового микроскопа 17
Искажения (артефакты) асм-изображений и методы их компенсации 19
Методики снижения величины искажений 29
Исследование доменной структуры и микрорельефа поверхности сегнетоэлектрических кристаллов методом атомно-силовой микроскопии 33
Глава 2. Методики подготовка образцов и исследования слоистых кристаллов с помощью атомно-силового микроскопа 39
Подготовка образцов 39
Методики исследования 41
Кантилеверы, их свойства и выбор 43
Форма острия и разрешение 46
Обработка изображений 49
Глава 3. АСМ исследование поверхности естественного скола ссгнстоэлектрнческнх кристаллов ТГС 51
Особенности строения полярной поверхности скола (010) кристалла ТГС 51
Тонкая структура поверхности кристаллов без специально введенных примесей 51
Тонкая структура поверхности дефектных кристаллов ТГС 58
Исследование влияния внешних воздействий на поверхность кристаллов триглицинсульфата методом атомно-силовой микроскопии 65
Особенности модификации поверхности сегпетоэлектрического кристалла под воздействием зондирующего острия 65
Влияние нагрева на тонкие детали ступенчатой структуры поверхности 73
Влияние влажности на стабильность поверхности 77
Глава 4. Исследование доменной структуры в кристаллах ТГС в статике и динамике 80
Контактный режим 80
Прерывисто-контактный режим 85
Движение доменных стенок при нагреве 96
Движение доменных стенок под воздействием электрического поля 99
Глава 5. Использование поверхности скола кристалла ТГС в качестве эталонной структуры 102
От сверхтонких деталей рельефа кристаллов тгс к эталонной структуре 102
Поиск естественных эталонов среди кристаллов, обладающих спайностью: бифталаты цезия и аммония 105
Выводы ПО
Благодарности 112
Литература

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Болотина Надежда Борисовна
Количество страниц
Год
2007
99 000 UZS
Автор
Толстихина, Алла Леонидовна
Количество страниц
Год
2013
99 000 UZS
Автор
Сульянова Елена Александровна
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Рабаданов Муртазали Хулатаевич
Количество страниц
Год
2004
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3