Введение
Глава 1. Атомные механизмы роста на поверхности кристаллов (литературный обзор) 9
1.1. Движение атомных ступеней по поверхности кристаллов 9
1.2. Вакансии на поверхности кристаллов 15
1.3. Зарождение двумерных островков на поверхности 18
1.4. Атомные процессы на структурированной поверхности кристалла 24
Выводы по главе 1 30
Глава 2. Экспериментальные методы исследования структурных процессов на поверхности кристалла 31
2.1. Методы анализа структуры и морфологии поверхности твёрдых тел 31
2.2. In situ сверхвысоковакуумная отражательная электронная микроскопия 35
2.3. Метод анализа ОЭМ-видео изображения 38
2.4. Количественный анализ морфологии поверхности методами АСМ и СЭМ... 40
2.5. Мезоструктурирование поверхности Si (111) 46
2.6. Формирование системы концентрических атомных ступеней 50
Выводы по главе 2 56
Глава 3. Атомные механизмы массопереноса по поверхности при высокотемпературной сублимации 57
3.1. Кинетика зарождения вакансионных 2D-OCTPOBKOB при сублимации 57
3.2. Движение ступеней, разделённых узкими и широкими террасами 63
3.3. Кинетика роста вакансионных 2Б-островков при сублимации 70
Выводы по главе 3 72
Глава 4. 2Б-островки при термическом травлении молекулярным кислородом 73
4.1. Взаимодействие кислорода с поверхностью Si (111) 73
4.2. Теоретическая модель зарождения вакансионных 2D-OCTPOBKOB В условиях повышенной концентрации вакансий 78
4.3. Зарождение двумерных вакансионных островков при термическом травлении кислородом 82
Выводы по главе 4 85
Глава 5. Атомные процессы на структурированной поверхности кремния (111) 86
5.1. Критический размер террасы в условия частичной компенсации сублимации 86
5.2. Атомно-гладкие террасы больших размеров 90
5.3. Зарождение 2Б-островков на поверхности кремния (111) 93
Выводы по главе 5 97
Заключение 98
Список литературы
