Введение
1. Диффузионные структуры на основе GaAs, легированного примесями Сг и Fe: получение и свойства .
1.1. Диффузия хрома и железа в GaAs ...
1.1.2. Диффузия хрома в GaAs
1.1.3. Диффузия железа в GaAs
1.2. Свойства электронно-дырочных переходов, полученных диффузией Сг, Fe в GaAs
1.2.1. Вольт-амперные характеристики к-v-n структур.
1.2.2. Влияние типа структуры на вольт-амперные характеристики S-диодов
1.2.3. Влияние геометрических размеров структуры на ВАХ S-диодов
1.2.4. Влияние концентрации доноров на ВАХ S-диодов
1.3. Приборы на основе «-GaAs легированного Fe, Сг в процессе диффузии
1.3.1. Лавинные переключающие S-диоды
1.3.2. Фотоприемники широкого спектрального диапазона..
1.3.3. Детекторы высокоэнергетических частиц и ионизирующих излучений
1.4. Выводы к первой главе и постановка задачи.
2. Экспериментальные методики и способы изготовления образцов структур и приборов
2.1. Получение и исследование диффузионных структур..
2.1.1. Способы изготовления диффузионных структур на основе GaAsrFe, Сг
2.1.2. Методы исследования диффузионных структур.
2.2. Изготовление и исследование приборов на основе диффузионных структур
2.2.1. Методики изготовления образцов S-диодов.
2.2.2. Методики измерения электрических характеристик S-диодов.
3. Исследование диффузии хрома и железа в GaAs 79
3.1. Диффузия хрома в GaAs в потоке аргона 80
3.2. Диффузия железа в GaAs в запаянных ампулах ..91
Выводы к третьей главе . .98
4. Исследование электрических характеристик диффузионных структур на основе GaAs, легированного Fe и Сг .100
4.1. Исследование влияния толщины тг-слоя на обратную В АХ яг-у-я-структур на основе GaAs:Fe ..100
4.2. Исследование ВАХ яг-у-я-структур на основе GaAs, легированного примесью Сг .119
4.3. Исследование ВАХ S-диодов на основе диффузионной л -структуры .133
Выводы к четвертой главе ..143
5. Применение структур на основе GaAs, легированного примесью железа, хрома .144
5.1. Высокоомные диффузионные слои GaAs, легированные хромом, для детекторов ионизирующих излучений .144
5.2. Высоковольтные S-диоды и формирователи импульсов. .152
5.3. Диффузионные n+-K-v-n-p (р+-n-n-v-ri) структуры на основе GaAs, легированного железом, для S-транзисторов...159
Выводы к пятой главе .168
Заключение ..169
Список литературы 171
Приложение А 185
