Динамическая теория рассеяния излучений кристаллами с макроскопически однородно распределенными дефектами произвольного типа

Молодкин Вадим Борисович. Динамическая теория рассеяния излучений кристаллами с макроскопически однородно распределенными дефектами произвольного типа : ил РГБ ОД 71:85-1/226
Автор
Молодкин Вадим Борисович
Год
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВА I. ДИНАМИЧЕСКАЯ ТЕОШЯ РАССЕЯНИЯ ИЗЛУЧЕНИЙ РЕАЛЬНЫМИ МОНОКРИСТАЛЛАМИ (ОБЗОР) 15
I. I. Общие замечения 15
1.2. Когерентное рассеяние в идеальных кристаллах 18
1.2.1. Маятниковые полосы 28
1.2.2. Эффект аномального прохождения излучений 29
1.3. Динамическая теория рассеяния искаженнымикристаллами 31
1.3.1. Влияние тепловых колебаний атомов и слабых статических искажений на основные когерентные эффекты динамической теории 31
1.3.2. Теория контраста отдельных дефектов 37
1.3.3. Динамическая теория диффузного рассеяния 44
1.3.4. Трехкристальная рентгеновская дифрактометрия 50
1.3.5. Интегральная отражательная способность кристалла 54
1.4. Квантовая теория каналирования быстрых за ряженных частиц в монокристаллах как многоволновой случай динамической теории рассеяния 56
1.5. Выводы 65
ГЛАВА 2. ДИНАМИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ КОГЕРЕНТНОГО РАССЕЯНИЯ ИЗЛУЧЕНИЙ КРИСТАЛЛАМИ, СОДЕРЖАЩИМИ МАКРО СКОПИЧЕСКИ ОДНОРОДНО РАСПРЕДЕЛЕННЫЕ ДЕФЕКТЫ ПРОИЗВОЛЬНОГО ТИПА 66
2.1. Метод выделения сильных волн 66
2.1.1. Одноволновой случай 69
2.1.2. Двухволновой случай 76
2.2. Классификация дефектов кристалла по их влиянию на картину рассеяния в динамической теории (особенности влияния на форму линии) 79
2.2.1. Дефекты первого класса 84
2.2.2. Дефекты второго класса 88
2.3. Влияние дефектов разного типа на когерентные эффекты аномального прохождения и маятниковых полос 98
2.3.1. Рассеяние электронов и рентгеновскихлучей в идеальных твердых растворах
и упорядочивающихся сплавах 98
2.3.2. Особенности динамической дифракциимедленных нейтронов в упорядочивающихся системах 109
2.4. Выводы ИЗ
ГЛАВА 3. ДИНАМИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ ДИФФУЗНОГО РАССЕЯНИЯ ВКРИСТАЛЛАХ С ОДНОРОДНО РАСПРЕЩЕЖННЫМИ ДЕФЕКТАМИ ПРОИЗВОЛЬНОГО ТИПА 117
3.1. Общие выражения для интенсивности диффузного рассеяния при динамической дифракции 118
3.1.1. Случай дифракции по Лауэ 121
3.1.2. Случай дифракции по Брэггу 124
3.2. Качественные особенности влияния дефектовразличного класса на картину диффузного
рассеяния в динамической теории 127
3.3. Эффект аномального прохождения диффузно рассеянных лучей 141
3.4. Изодиффузные линии и профили интенсивности 143
3.4.1. Случай дифракции по Лауэ 143
3.4.2. Случай дифракции по Брэггу 150
3.5. Картины Кикучи для упругого диффузного рассеяния 158
3.6. Трехкристальная рентгеновская дифрактомет-рия монокристаллов с однородно распреде -ленными дефектами 163
3.7. Выводы 179
ГЛАВА 4. ПОЛНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ ИНТЕНСИВНОСТЬ РАССЕЯНИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ С ДЕФЕКТАМИ 185
4.1. Вывод основных выражений в общем случае дефектов произвольного типа 187
4.1.1. Полная интегральная интенсивность рассеяния в монокристаллах произвольных толщин 188
4.1.2. Предельные случаи тонкого и толстого кристаллов 192
4.2. Эффект определяющего вклада диффузной составляющей полной интегральной интенсивнос
ти рассеяния в монокристаллах 203
4.2.1. Макроскопически однородно распределенные дефекты кулоновского типа 203
4.2.2. Однородно распределенные дислокации 216
4.3. Выводы 224
ГЛАВА 5. КВАНТОВАЯ ТЕОРИЯ КАНАЛИРОВАНИЯ ЗАРЯЖЕННЫХЧАСТИЦ В МОНОКРИСТАЛЛАХ С МАКРОСКОПИЧЕСКИОДНОРОДНО РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ДЕЮГАМИ 228
5.1. Основы рассмотрения в рамках динамическойтеории рассеяния задачи каналирования в кристаллах с дефектами 228
5.1.1. Вывод и обоснование эффективного потенциала 230
5.1.2. Решение граничной задачи каналирования 235
5.1.3. Оценки и критерии применимости метода выделения когерентной части рассеяния 243
5.2. Особенности плоскостного каналирования, обусловленные наличием сложного базиса в
монокристаллах 252
5.2.1. Расчет эффективного потенциала 252
5.2.2. Ориентационные эффекты 256
5.2.2.1. Бинарная модель типа Кронига-Пенни 257
5.2.2.2. Бинарная модель типа Пешля -Теллера 266
5.3. Влияние дефектов различного типа на особенности ориентационных зависимостей вторичных процессов при каналировании 273
5.3.1. Точечные дефекты (примеси внедрения и замещения) 278
5.3.2. Включения и дислокационные петли 286
5.4. Выводы 290
ЗАКЛШЕНИЕ 293
ЛИТЕРАТУРА 4. 297

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Солин Валерий Геронтьевич
Количество страниц
Год
99 000 UZS
Автор
Сорокин Никита Леонидович
Количество страниц
Год
99 000 UZS
Автор
Сотников Андрей Васильевич
Количество страниц
Год
99 000 UZS
Автор
Стрижевский Сергей Владимирович
Количество страниц
Год
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3