Введение
1 Фотоэлектрические явления в полупроводниках 15
1.1 О динамике фотоиндуцированных зарядов и полей в диэлектриках 15
1.2 Формирование динамических решеток объемного заряда и проводимости в широкозонных полупроводниках . 23
1.3 Волны пространственного заряда 34
1.4 Самодифракция световых пучков . 35
1.5 Стационарные топографические токи 37
1.6 ФотоЭДС, возникающая при освещении полупроводника движущимся световым пятном
1.7 Нестационарные топографические токи . 42
1.8 Гомодинное детектирование оптических фазомодулиро-ванных сигналов 47
2 Объекты исследований и методика экспериментов 54
2.1 Методы экспериментальных исследований 54
2.2 Физические свойства исследуемых кристаллов 59
2.3 Приготовление образцов 65
3 Динамические решетки объемного заряда в кристаллах с большими временами жизни носителей 68
3.1 Диффузионный механизм записи 68
3.2 Нестационарные голографические токи в кристаллах сил-ленитов 71
3.3 Дрейфовый механизм записи 77
3.4 Нестационарные голографические токи в кристалле си-ликосилленита висмута, помещенном во внешнее электрическое поле 78
3.5 Большие уровни возбуждения . 84
3.6 Эксперименты по исследованию токопротекания в кристаллах Ві^БіОго при больших интенсивностях света 87
4. Нестационарные голографические токи в кристаллах со сложной структурой локальных уровней 97
4.1 Расчет нестационарного голографического тока для двухуровневой модели полупроводника 97
4.2 Диффузионный механизм записи. Слабое заполнение мелких ловушечных уровней
4.3 Случай сильного заполнения мелких ловушечных уровней 116
4.4 Голографические токи в фоторефрактивных кристаллах Bii2Si02o и ВІ12ТІО20, выращенных в атмосфере аргона 120
4.5 Динамика фотоиндуцированных полей и зарядов в широкозонных полупроводниках, помещенных во внешнее электрическое поле 129
4.6 Эксперименты по исследованию температурных зависимостей топографических токов и фотопроводимости в кристалле ВіїгЗіОго, выращенного в атмосфере аргона 134
4.7 Нерезонансное усиление топографических токов в полупроводниках во внешнем знакопеременном поле 140
4.8 Гигантское резонансное усиление топографических токов в полупроводниках, помещенных во внешнее знакопеременное поле 150
5. Динамика фотоиндуцированных полей и зарядов в не которых фоточувствительных средах 164
5.1 Пленки оксида индия 164
5.2 Молекулярный кристалл дисульфида олова 169
6 Адаптивные фотоприемники на динамических решетках объемного заряда 181
6.1 Детектирование оптических фазомодулированных сигналов при больших амплитудах фазовой модуляции 181
6.2 Двухчастотный режим возбуждения 192
6.3 Эксперименты по двухчастотному возбуждению динамических решеток в Bii2Si02o 197
6.4 Адаптивные фотоприемники для измерения малых колебаний зеркальных объектов . 198
6.5 Регистрация малых колебаний диффузно-рассеивающих объектов с помощью гомодинного лазерного виброметра на основе GaAs:Cr адаптивного фотоприемника 201
6.6 Адаптивные фотоприемники для детектирования высокочастотных оптических фазомодулированных сигналов 210
6.7 Оптическое детектирование ультразвука с помощью GaAs адаптивных фотоприемников
6.8 Прецизионное измерение частоты колебаний с помощью адаптивных фотоприемников
6.9 Лазерный "измеритель скорости" на основе адаптивных фотоприемников 226
6.10 Объемные и контактные сигналы в адаптивных фотоприемниках . 235
6.11 О некоторых особенностях возбуждения топографических токов в GaAs адаптивных фотоприемниках 244
6.12 Измерение пьезоэлектрических и электрооптических коэффициентов тонких пленок .
Приложение 264
Заключение 269
Литература 274
