Введение
Глава 1. Фотонное эхо и характеристика резонансных сред 13
1.1. Первичное и стимулированное фотонное эхо 13
1.2. Нефарадеевский поворот вектора линейной поляризации фотонного эха 20
1.3. Характеристика исследуемых полупроводниковых сред и условия их возбуждения
1.3.1 Характеристика оксида цинка 24
1.3.2 Двухфотонный режим возбуждения материала ZnO 33
1.3.3 Характеристика кремния, легированный бором или фосфором
1.4. Наноразмерные кластеры дефектов 43
1.5. Гетероструктура ZnO/Si 46
1.6. Выводы по первой главе 50
Глава 2. Экспериментальное оборудование и методика возбуждения фемтосекундных сигналов фотонного эха 51
2.1. Характеристика тонких текстурированных пленок 51
2.2. Особенности возбуждения сигналов фотонного эха на суперпозиционных экситонных состояниях в квантово-размерных дефектах тонких текстурированных пленок 55
2.3. Экспериментальная установка и условия возбуждения фемтосе-кундного первичного фотонного эха в тонких текстурированных пленках 59
2.4. Экспериментальная установка и условия возбуждения фемтосе-кундного стимулированного фотонного эха в тонких текстурирован-ных пленках 66
2.5. Выводы по второй главе 69
Глава 3. Двухфотонное возбуждение сигналов фотонного эха на локализованных экситонных состояниях в тонких текстурированных пленках и их применение 70
3.1. Обнаружение фемтосекундного первичного фотонного эха на локализованных экситонных состояниях в тонких текстурированных пленках 70
3.2. Методика измерения времени необратимой поперечной релакса ции Т2 в тонких текстурированных пленках 79
3.3. Обнаружение фемтосекундного стимулированного фотонного эха в режиме двухфотонного возбуждения на локализованных экситонных состояниях в тонкой пленке оксида цинка
3.4. Методика измерения времени необратимой продольной релаксации Т1 в тонких текстурированных пленках 90
3.5. Выводы по третьей главе 93
Глава 4. Нанооптические эффекты фотонного эха в тонких текстуриро ванных пленках 95
4.1. Обнаружение эффекта увеличения времени релаксации в тонкой текстурированной пленке при уменьшении ее толщины 96
4.2. Обнаружение фемтосекундного стимулированного фотонного эха в текстурированных тонких пленках кремния, легированного бором или легированного фосфором 102
4.3. Эффект увеличения времени релаксации Т1 в трехслойной пленке (n-p-n)-типа по сравнению с однослойными пленками 108
4.4. Выводы по четвертой главе 111
Заключение 113
Список сокращений и условных обозначений 115
Примечание 116
Список литературы
