Введение
Глава 1 Обзор литературы. Мощные полупроводниковые лазеры на основе квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/InGaAз/GaAs 11
1.1 Концепция мощных полупроводниковых лазеров 11
1.2. Обзор литературных данных по мощным непрерывным полупроводниковым лазерам 14
1.3 Выводы по обзору литературы 35
Глава 2 Квантово-размерные асимметричные лазерные AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктуры и полупроводниковые лазеры на их основе: изготовление и характеризация 36
2.1 Параметры исследуемых лазерных гетероструктур и технология их изготовления 36
2.2 Изготовление полупроводниковых лазеров (постростовые технологии) 44
2.2.1 Конструкция «мелкая меза» 44
2.2.2 Конструкция «глубокая меза» 52
2.3 Выводы к главе 2 55
Глава 3 Исследование фундаментальных причин ограничения мощности многомодовых лазеров на основе квантово-размерных асимметричных двойных гетероструктур раздельного ограничения в системе твёрдых растворов AlGaAs/InGaAs/GaAs при работе в непрерывном режиме генерации 57
3.1 Разогрев активной области полупроводникового лазера при работе в непрерывном режиме генерации 57
3.2 Температурная зависимость пороговой плотности тока и пороговой концентрации 61
3.3 Температурная делокализация носителей заряда 69
3.4 Температурная зависимость внутренних оптических потерь 74
3.5 Зависимость пороговой концентрации от количества квантовых ям в активной области 88
3.6 Выводы по результатам исследований фундаментальных причин, ограничивающих максимальную мощность многомодового полупроводникового лазера 91
Глава 4 Исследование излучательных и электрических характеристик полупроводниковых лазеров на основе оптимизированной конструкции квантово-размерной асимметричной двойной гетероструктуры раздельного ограничения в системе твёрдых растворов AlGaAs/InGaAs/GaAs при работе в непрерывном режиме генерации 92
4.1 Лазерные гетероструктуры мощных полупроводниковых лазеров в системе твёрдых растворов AlGaAs/InGaAs/GaAs 92
4.2 Внутренние оптические потери и температурная делокализация в полупроводниковых лазерах на основе лазеных гетероструктур в системе твёрдых растворов AlGaAs/InОaAs/GaAs 94
4.3 Основные оптические и электрические характеристики полупроводниковых лазеров на основе лазерных гетероструктур в системе твёрдых растворов AlGaAs/InGaAs/GaAs 98
4.4 Температурная стабильность характеристик полупроводниковых лазеров на основе лазерных гетероструктур в системе твёрдых растворов AlGaAs/InGaAs/GaAs 102
Заключение 105
Литература
