Введение
ГЛАВА 1 10
1.1 Характеристики соединений АП|В 10
1.1.1 Общие сведения 10
1.1.2 Кристаллическая структура 13
1.1.3 Следствия отсутствия инверсионной симметрии: плоскости (111) и (1 I 1) 16
1.1.4 Характер связи в соединениях А В 19
1.1.5 Сила связи A"-Bv 27
1.2 Физико-химические свойства фосфида галлия и арсенида галлия 30
1.2.1 Основные характеристики фосфида галлия 30
1.2.2 Основные характеристики арсенида галлия 32
1.2.3 Строение реальной поверхности арсенида галлия и фосфида галлия 33
1.3 Граница раздела металл - полупроводник 35
1.3.1. Методы формирования контактов металл - полупроводник 38
1.3.2. Модели строения границы раздела металл - полупроводник 39
1.3.3. Теории переноса заряда через границу раздела металл - полупроводник 41
1.3.4 Состояние поверхности полупроводника и электрофизические свойства
диодных структур металл - полупроводник 43
1.3.5. Способы подготовки поверхности полупроводника и электрофизические характеристики контакта металл - полупроводник 44
1.3.6. Процессы, протекающие на поверхности полупроводников типа А1 В , контактирующей с окружающей средой 44
1.3.7. Влияние оксидного слоя на электрофизические свойства выпрямляющих контактов металл - полупроводник 46
1.3.8 Халькогенидная пассивация поверхности полупроводника 48
ГЛАВА 2. Формирование нанослоевых диодных контактов GaP-(S/Se)-Ni 54
2.1 Техника и методика эксперимента 54
2.1.1 Растворы и реактивы 54
2.1.2 Установки 55
2.1.3 Методика изготовления рабочих электродов 57
2.1.4 Методика измерения катодных поляризационных кривых 58
2.1.5 Методика формирования выпрямляющего контакта на поверхности полупроводника 60
2.2 Термодинамический расчёт для реакций, протекающих на границе полупроводник -раствор 61
2.3 Нахождение оптимальной плотности тока для наилучшего осаждения никеля 63
2.4 Травление фосфида галлия концентрированными кислотами 66
2.5 Регистрация вольтамперных характеристик контактов металл - полупроводник 67
2.5.1. Влияние предварительной подготовки на электрофизические характеристики
контакта никель-фосфид галлия п-типа 68
2.5.3. Термическая стабильность 71
2.6 Исследование поверхностей GaAs, GaP и контактов GaAs-Ni инструментальными
методами 72
ГЛАВА 3. Компьютерное моделирование гетероперехода Ga(As, P)-(S, Se)-Ni 75
3.1 Построение геометрической модели гетероперехода Ga(As,P) - (S, Se)-Me 75
3.2. Расчет сил связи методом нелокального функционала плотности 86
3.3. Расчет энергий и длин связей биядерных локальных кластеров состава АШВ , AinBvl, AIV BVI, AV BVI методом функционала плотности с помощью пакета компьютерных программ WINBOND 90
3.4. Расчет энергий и длин связей биядерных локальных кластеров состава A11 Bv, A,MBvl,A1VBvr,AVBvl методом функционала плотности в программном пакете Hyper Chem 6 Professional 97
3.5. Компьютерное моделирование релаксации контактов GaP-(S, Se)-Ni 99
3.5.1 Механизмы релаксации наноструктуры контакта A"BV - A"BV1 - Me 99
3.5.2 Анализ результатов компьютерного моделирования релаксации контакта GaP-S-Ni 100
3.5.3 Анализ результатов компьютерного моделирования релаксации контакта GaP-Se-Ni 107
Заключение 113
Выводы 115
Библиографический список 117
Приложение А 129
