Введение
Глава 1. Экспериментальное исследование свойств расплавов некоторых халькогенидов металлов - 21
1.1. Свойства расплавов халькогенидов металлов и их значение для разработки технологий выращивания кристаллов из расплава - 21
1.2. Объемные эффекты кристаллизации некоторых халькогенидов металлов - 26
1.3. Экспериментальное определение поверхностного натяжения расплавов AIIBVI. Растворимость аргона в расплавах бинарных II-VI соединений - 31
1.4. Вязкость расплавов ряда бинарных II-VI соединений - 40
1.5. Выводы - 45
Глава 2. Исследование изменения состава в процессах кристаллизации халькоге нидов цинка и кадмия - 46
2.1. Анализ данных о составе кристаллов II-VI соединений, получаемых из расплава - 46
2.2. Исходные данные для расчета состава и сравнения с ним экспериментальных результатов - 51
2.3. Изменение состава при вертикальной направленной кристаллизации по Бриджмену, изотермической выдержке расплавов и зонной плавке II-VI соединений -
2.3.1. Вертикальная направленная кристаллизация и изотермическая выдержка расплавов II-VI соединений - 58
2.3.2. Вертикальная зонная плавка II-VI соединений - 63
2.4. Выводы - 76
Глава 3. Проблемы возникновения пор (пузырей) и включений собственных компонентов в кристаллах широкозонных халькогенидов металлов, выращенных из расплава - 77
3.1. Возможные причины образования пор (пузырей) и включений собственных компонентов в кристаллах халькогенидов металлов, выращенных из расплава - 77
3.2. Экспериментальное исследование природы пор (пузырей) в кристаллах некоторых халькогенидов металлов, выращенных из расплава. Получение кристаллов с низким содержанием пор - 83
3.3. Выводы - 111
Глава 4. Взаимодействие халькогенидов металлов с конструкционными материалами и рабочей атмосферой ростовых установок в процессах получения кристаллов - 112
4.1. Влияние конструкционных материалов и состава рабочей атмосферы ростовых установок на свойства кристаллов халькогенидов металлов, выращенных из расплава - 112
4.2. Взаимодействие халькогенидов металлов с углеграфитовыми материалами
4.3. Особенности распределения примеси железа в кристаллах II-VI соединений, выращенных из расплава, и его связь с составом рабочей атмосферы ростового оборудования - 128
4.4. Выводы - 141
Глава 5. Выращивание кристаллов различных соединений, содержащих летучие компоненты. Основные свойства получаемых материалов. Возможности практического применения кристаллов и изделий из них - 142
5.1. Методы получения кристаллов и наноматериалов некоторых соединений, содержащих летучие компоненты. Анализ данных о свойствах и практическом использовании таких материалов - 142
5.2. Общие сведения об основном оборудовании и методиках выращивания кристаллов и синтеза сырья - 164
5.3. Выращивание из расплава, основные свойства и применение кристаллов бинарных и тройных II-VI соединений
5.3.1. Сульфид и селенид цинка - 169
5.3.2. Теллурид цинка - 176
5.3.3. Теллурид кадмия - 179
5.3.4. Сульфид и селенид кадмия - 181
5.3.5. Смешанные кристаллы II-VI соединений
5.4. Получение кристаллов Cd1-xZn0xTe в условиях микрогравитации - 208
5.5. Получение и возможности практического применения нанокристаллов широкозонных II-VI соединений. Нанопорошковая методика получения керамик и свойства изготавливаемых объемных материалов - 217
5.6. Выращивание из расплава, некоторые свойства и перспективы применения кристаллов бинарных и тройных халькогенидов галлия (II) - 246
5.7. Другие возможности методов получения кристаллов соединений, содержащих летучие компоненты, из расплава под давлением инертного газа. Ограничения на применимость этих способов и альтернативные методики -
5.7.1. Халькогениды висмута - 260
5.7.2. Халькогениды свинца - 264
5.7.3. Халькогениды железа и никеля - 266
5.7.4. Другие халькогениды. Оксиды и фториды металлов - 277
5.8. Выводы - 291
Заключение - 292
Список сокращений и условных обозначений - 297
Литература
