Введение
Глава 1. Литературный обзор. Электрохимические методы получения CdSe. Механизм электрохимического осаждения CdSe 11
1.1 Применение и методы получения CdSe 11
1.2 Термодинамика электроосаждения CdSe 14
1.3 Кинетика электроосаждения CdSe 18
1.4 Методики электрохимического осаждения CdSe 30
1.5 Импульсное электрохимическое осаждение полупроводников 33
1.6 Воздействие короткими высоковольтными импульсами 37
Глава 2. Теоретическая часть 40
2.1 Термодинамический расчет совместного электрохимического осаждения кадмия и селена 40
2.2 Моделирование нестационарных диффузионных катодных процессов при высоковольтном импульсном осаждении CdSe 46
2.2.1 Физико-химические процессы, происходящие в приэлектродном слое раствора при воздействии катодными высоковольтными импульсами. Формирование барьерного слоя 46
2.2.2 Нестационарная диффузия. Концентрационное распределение 48
2.2.3 Электрическое сопротивление пограничного слоя 54
2.2.4 Распределение плотности тока 55
2.2.5 Мгновенная электрическая мощность и локализация потоков энергии 57
Глава 3. Методы синтеза и исследований 61
3.1 Методы электрохимического синтеза CdSe 61
3.1.1 Методика исследования электрохимического поведения Cd2+ и H2SeO3.61
3.1.2 Методика электрохимического синтеза CdSe в области равновесного потенциала осаждения 61
3.1.3 Методика электрохимического синтеза CdSe при высокоэнергетическом импульсном воздействии 62
3.1.4 Методика синтеза TiO2 микроплазменным оксидированием 63
3.2 Методы исследования полученных материалов 63
3.2.1 Растровая электронная микроскопия 63
3.2.2 Рентгеноспектральный микроанализ 64
3.2.3 Рентгенофазовый анализ 64
3.2.4 Спектроскопия комбинационного рассеяния 65
3.2.5 Спектроскопия в УФ-видимой области 66
Глава 4. Электрохимический синтез CdSe в стационарных условиях 68
4.1 Исследование механизма осаждения CdSe 68
4.1.1 Электрохимические свойства Cd2+ и H2SeO3 в растворе 68
4.1.2 Лимитирующая стадия 71
4.2 Потенциостатическое осаждение CdSe 73
4.3 Свойства CdSe, полученного электроосаждением в потенциостатических условиях 74
4.3.1 Свойства CdSe, осажденного на Cu подложке 74
4.3.2 Свойства CdSe, осажденного на Ti подложке 75
Глава 5. Электрохимический синтез CdSe в нестационарных высокоэнергетических условиях 78
5.1 Особенности высоковольтного импульсного электроосаждения бинарных полупроводниковых соединений 78
5.2 Выбор экспериментальных условий высоковольтного импульсного осаждения CdSe 80
5.3 Исследование состава, структуры, морфологии и оптических свойств осадка CdSe, полученного высоковольтным импульсным осаждением 83
5.4 Влияние паузы импульса высоковольтного напряжения 89
5.5 Влияние соотношения Cd:Se в исходном электролите 91
5.6 Влияние длительности импульса высоковольтного напряжения 94
5.7 Высоковольтное импульсное осаждение CdSe в порах TiO2 99
Заключение 105
Список использованной литературы 107
