Физико-технологические основы создания кремниевого фотоэлектронного умножителя высокой эффективности с малой оптической связью

Жуков Андрей Александрович. Физико-технологические основы создания кремниевого фотоэлектронного умножителя высокой эффективности с малой оптической связью: диссертация ... кандидата Технических наук: 05.27.06 / Жуков Андрей Александрович;[Место защиты: ФГАОУВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»], 2017.- 133 с.
Автор
Жуков Андрей Александрович
Год
2017
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВА 1 Современные типы детекторов света малой интенсивности излучения, их конс тр укт ив но -технологические особенности и области пр именения 17
1.1. Электровакуумные приборы 17
1.2. Детекторы на основе полупроводников 21
1.2.1. Диоды на основе полупроводников с областью собственной проводимости 21
1.2.2. Диоды, обеспечивающие внутреннее усиление посредством эффекта лавинного умножения 24
1.2.3. Фотод иоды с использованием реж има Гейгера 26
1.2.4. Кремниевые фотоэлектронные умножители 27
1.2.5. Сравнение SiФЭУ с другими типами детекторов 32
Выводы к главе 1 34
ГЛАВА 2 Разработка технологических методов оптической связи 36
2.1. Сравнительное исследование и методы подавления взаимного влияния ячеек SiФЭУ друг на друга с целью оптимизации параметров прибора 36
2.2. Анализ взаимного влияния ячеек и выбор конструктивных и технологических методов подавления взаимной связи ячеек 38
Выводы к главе 2 47
ГЛАВА 3 Технологический базис для изготовления SiФЭУ 48
3.1 Техпроцесс формирования глубокозалегающего дополнительного p-n-перехода 49
3.2 Техпроцесс создания поглощающего слоя на обратной стороне 50
3.3 Техпроцесс разделения ячеек между собой V-образными канавками, получаемыми на финишных этапах технологического маршрута при помощи высокоселе кти вного травления в ЭД П 60
3.4 Способ создания высокоомного поликремниевого резистора с подгонкой проводимости ИИ B+ 66
3.5 Техпроцесс формирования металлической разводки при помощи проекционной фотолитографии на пластинах с рельефом до 5 мкм 69
3.6 Техпроцесс формирования просветляющего двуслойного покрытия для формирования максимальной чувствительности детектора на длине волны 420 нм 75
3.7 Технология формирования кремниевых фотоэлектронных умножителей на базе оборудования и процессов, используемых в цикле для изготовления КМОП изделий с проектными нормами 1.6 мкм 85
Выводы к главе 3 90
ГЛАВА 4 Анализ параметров изготовленных SiФЭУ с учетом проявления методов
4.1 Описание и технические характеристики изготовленных SiФЭУ 92
4.1.1. Эффективность регистрации света в режиме счета 94
4.1.2. Шум-фактор (ENF) 98
4. 1.3. Коэффициент усиления 99
4.1.4. Оптическая связь 102
4.2. Исследования SiФЭУ в мировых физических экспериментах 103
4.2.1. Использование SiФЭУ в тайловом адронном калориметре в международ ном лине йном коллайдере 103
4.3.1. Использование SiФЭУ в эксперименте MAGIC (Major Atmospheric Gamma Imaging Cerenkov Telescope) 110
4.3. Анализ результатов 118
Выводы к главе 4 119
Заключение 120
Литература

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Гоник Михаил Александрович
Количество страниц
Год
2019
99 000 UZS
Автор
Ву Дык Хоан
Количество страниц
Год
2017
99 000 UZS
Автор
Маякова Мария Николаевна
Количество страниц
Год
2019
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3