Введение
1. Обзор информационных источников 21
1.1. Фотоприемные твердотельные приборы 21
1.1.1. Характеристики и параметры фотоприемных приборов 22
1.1.2. Фотоприемники для коротковолновой области спектрального диапазона 26
1.1.3. Омические и выпрямляющие контакты в структурах металл-полупроводник 29
1.1.4. Омические контакты в структурах на основе широкозонных полупроводников 29
1.1.5. Выпрямляющие контакты металл – полупроводник и их основные свойства 35
1.1.6. Фотоприемники на основе структур металл – полупроводник 1.1.6.1. Фотоприемники на основе структур металл – арсениды-фосфиды галлия 42
1.1.6.2 . Фотоприемники на основе структур металл – полупроводниковые нитриды третьей группы 43
1.2. Светоизлучающие твердотельные приборы 46
1.2.1. Характеристики и параметры светоизлучающих приборов 47
1.2.2. Стандартизированные методики исследования спектральных и фотометрических характеристик светодиодов и изделий на их основе 56
1.2.3. Методы определения температуры активной области полупроводниковых наногетероструктур 58
1.2.4. Светоизлучающие приборы на основе полупроводниковых нитридов третьей группы 63
1.2.5. Особенности светодиодов, излучающих в ультрафиолетовом диапазоне 70
1.3. Коллоидные квантовые точки и структуры на их основе 74
1.3.1. Основные свойства коллоидных квантовых точек 75
1.3.2. Технология синтеза коллоидных квантовых точек 81
1.3.3. Применение коллоидных квантовых точек 83
1.3.1. Органические светоизлучающие диоды (OLED), содержащие коллоидные квантовые точки 86
2. Фотоприемные твердотельные приборы с заданными спектрально-энергетическими характеристиками на основе контакта металл – арсениды-фосфиды галлия 92
2.1. Моделирование спектрально-энергетических характеристик фотоприемных приборов на основе барьеров Шоттки с учетом влияния поверхностной рекомбинации 93
2.1.1. Моделирование коэффициентов поглощения для трехкомпонентных и четырехкомпонентных твердых растворов AIIIBV 94
2.1.2. Моделирование спектральных характеристик фотоприемных приборов на основе p-n-переходов 99
2.1.3. Моделирование спектральных характеристик фотоприемных приборов на основе барьеров Шоттки
2.2. Технология создания фотоприемных приборов на основе контакта серебро – арсениды-фосфиды галлия 109
2.3. Зависимость высоты потенциального барьера контакта Ag-n-GaAs1-xPx от состава твердого раствора 113
2.4. Фотоприемные приборы на основе контакта металл – арсениды-фосфиды галлия
2.4.1. Фотоприемные приборы на основе контакта серебро – фосфид галлия 121
2.4.2. Фотоприемники с заданными спектрально-энергетическими характеристиками, использующие эффект поверхностной рекомбинации 130
2.4.3. Фотоприемные приборы на основе контакта серебро – арсениды-фосфиды галлия 132
2.4.4. Фотоприемники, использующие эффект широкозонного окна 136
3. Фотоприемные твердотельные приборы с заданными спектрально-энергетическими характеристиками на основе контакта металл – нитриды галлия-алюминия 146
3.1. Технология создания омических и выпрямляющих контактов к слоям нитридов галлия-алюминия 147
3.2. Солнечнослепые и видимослепые фотоприемники на основе твердых растворов нитридов галлия-алюминия
3.2.1. Фотоприемные приборы на основе контакта серебро – нитриды галлия-алюминия 158
3.2.2. Солнечнослепые и видимослепые фотоприемники на основе контакта металл – нитриды галлия-алюминия 163
3.3. Фотоприемники с повышенной селективностью чувствительности для диапазона 350-370 нм, созданные на основе контакта золото – нитрид галлия алюминия 169
4. Светоизлучающие твердотельные приборы на основе полупроводников aiiibv и методики определения их качества 176
4.1. Методики определение тепловых характеристик светоизлучающих диодов и их качества 176
4.1.1. Быстрая бесконтактная методика определения температуры активной области светоизлучающих диодов 178
4.1.2. Быстрая бесконтактная методика определения наличия тепловых неоднородностей в светоизлучающих диодах и экспресс-диагностики их качества 186
4.1.3. Тест-система определения параметров и характеристик светоизлучающих диодов и диагностики их качества 192
4.2. Светодиоды на основе наноструктур, содержащих множественные квантовые ямы и сверхрешетки 199
4.2.1. Светодиоды на основе сверхрешеточных структур со стабилизированной длиной волны люминесценции 199
4.2.2. Эффекты в светодиодных структурах, возникающие при криогенных температурах 205
4.2.3. Светоизлучающие структуры с улучшенным блокирующим слоем 209
4.3. Светодиоды ультрафиолетового диапазона на основе твердых растворов нитридов галлия-алюминия 215
5. Светоизлучающие приборы на основе коллоидных квантовых точек 231
5.1. Люминесцентные свойства коллоидных квантовых точек халькогенидов металлов 232
5.2. Технология создания твердотельных светоизлучающих структур, содержащих массивы коллоидных квантовых точек 238
5.3. Взаимодействие коллоидных квантовых точек с гладкими и наноструктурированными подложками
5.3.1. Самоорганизация коллоидных квантовых точек на поверхности неструктурированных подложек 241
5.3.2. Структуры на основе пористых металлоксидных нанокомпозитов 244
5.3.3. Структуры на основе наноструктурированных полупроводников 248
5.3.4. Взаимодействие коллоидных квантовых точек, находящихся в составе многокомпонентного массива 255
5.4. Моделирование характеристик ККТ и светоизлучающих структур на их основе 258
5.4.1. Расчёт размеров ККТ 258
5.4.2. Моделирование спектральных характеристик светоизлучающих структур на основе массивов коллоидных квантовых точек 262
5.5. Люминесцентные излучающие приборы на основе массивов коллоидных квантовых точек халькогенидов металлов 268
5.5.1. Люминесцентные структуры с цветовой температурой 6504 К 269
5.5.2. Люминесцентные структуры с цветовой температурой 5500 К 272
5.5.3. Люминесцентные структуры, имитирующие спектр Солнца с учетом поглощения в атмосфере 273
5.5.4. Люминесцентные излучающие приборы с высоким индексом цветопередачи 274
5.6. Излучатели на основе органических структур, содержащих массивы
коллоидных квантовых точек 277
5.6.1. Выбор органических структур как основы для создания излучателей с ККТ 277
5.6.2. Фрактальные микроструктуры на основе слоев оксидов индия-олова 280
5.6.3. Излучатели на основе органических структур, содержащие массивы ККТ 290
Заключение 297
Список информационных источников
