Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений

Яскевич, Тамара Михайловна. Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Яскевич Тамара Михайловна; [Место защиты: Нац. исслед. Том. гос. ун-т].- Томск, 2013.- 150 с.: ил. РГБ ОД, 61 14-1/464
Автор
Яскевич, Тамара Михайловна
Год
2013

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Квантовые кинетические уравнения динамики взаимодействующей экситон-поляритонной системы в полупроводниковом микрорезонаторе
99 000 UZS
Автор
Савенко, Иван Григорьевич
Количество страниц
Год
2013
Особенности электронно-энергетической и атомной структуры и фотолюминесценции пленок SiOx имплантированных углеродом
99 000 UZS
Автор
Спирин, Дмитрий Евгеньевич
Количество страниц
Год
2013
Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами
99 000 UZS
Автор
Терещенко, Олег Евгеньевич
Количество страниц
Год
2013
Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111)
99 000 UZS
Автор
Бондаренко, Леонид Владимирович
Количество страниц
Год
2012
Исследование электрических и оптических свойств дислокационных сеток в кремнии
99 000 UZS
Автор
Бондаренко, Антон Сергеевич
Количество страниц
Год
2012
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3