Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией

Левичев Сергей Борисович. Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 : Н. Новгород, 2004 120 c. РГБ ОД, 61:05-1/515
Автор
Левичев Сергей Борисович
Год
2004

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Оптическая спектроскопия водородных и углеродных центров в полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Лавров Эдуард Владимирович
Количество страниц
Год
2004
Влияние германия на кинетику образования низкотемпературных термодоноров и на начальные стадии процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии
99 000 UZS
Автор
Светлова Наталья Юрьевна
Количество страниц
Год
2002
Динамика дефектной структуры и акустическая эмиссия в кремнии при электрических и механических возмущениях
99 000 UZS
Автор
Соловьев Александр Александрович
Количество страниц
Год
2002
Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе
99 000 UZS
Автор
Тарасов Илья Сергеевич
Количество страниц
Год
2002
Теплофизические свойства халькогенидов редкоземельных элементов переменного состава
99 000 UZS
Автор
Митаров Ризван Гаджимирзаевич
Количество страниц
Год
2002
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3