Введение
Глава 1. Теоретическое описание системы полупроводник-ионредкоземельного элемента 14
1 1. Некоторые свойства редкоземельных элементов 14
1.2. Ион редкоземельного элемента в матрице 17
1.3. Иттербий в II-VI полупроводниках 24
1.4. Расчёт положения линий, соответствующих экситонам, локализованным в квантовых ямах структур на основе ZnSe/Znn.x)CdxSe 25
1.4.1. Аппроксимация параметров материала Zn(і.x)CdxSe 26
1.4.2. Решение задачи о нахождении уровней энергии носителей, локализованных в квантовой яме . 28
1.4.3. Вычисление энергии оптического перехода 29
Глава 2. Методы изготовления и исследования полупроводниковых структур 30
2.1. Получение полупроводниковых слоев, легированных редкоземельными элементами в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии 30
2.2. Ионное внедрение редкоземельных элементов в монокристаллы полупроводников 30
2.3. Отжиг образцов 32
2.4. Методы исследования 34
Глава 3. Экспериментальная часть. Исследование методом фотолюминесценции структур ZnTe, ZnSe/ZnCdSe 38
3.1.ZnTe 38
3.1.1. Получение структур ZnTe:Yb/GaAs методом молекулярно - лучевой эпитаксии 38
3.1.2. Влияние отжига на спектры характеристического излучения ионов Yb 46
3.1.3. Влияние качества кристаллической матрицы на спектры характеристического излучения ионов Yb 54
3.1.4. Экспериментальное исследование температурных зависимостей спектров РЗ люминесценции в структуре ZnTe:(Yb+0) 57
3.2. ZnSe:ZnCdSe 63
3.2.1. Описание исследованных структур 63
3.2.2. Результаты исследования образцов структур трёх типов 66
3.2.3. Оптимальные технологические условия для наблюдения характеристического излучения РЗ ионов и излучения экситонов „75
Глава 4. Обсуждение результатов 77
4.1.ZnTe 77
4.2. ZnSe/ZnCdSe 88
Заключение 94
Список литературы 97
