Введение
ГЛАВА 1. Обзор литературы. 11
1.1 Общие сведения о наноструктурах 11
1.2. Эффект размерного квантования 13
1.2.1. Особенности энергетических спектров наноструктур 13
1.2.2. Энергетический спектр электронов и дырок в сферических полупроводниковых наночастицах. 14
1.2.3. Оптические свойства сферических наночастиц 16
1.3. Наночастицы CdSe/ZnS, их получение и фотофизические свойства 18
1.3.1. Получение наночастиц CdSe/ZnS. Влияние оболочки ZnS на свойства наночастиц 18
1.3.2. Уровни энергии наночастиц CdSe/ZnS: поправки к модели «частица-в-сфере»Фотофизические свойства ансамблей невзаимодействующих наночастиц 20
1.4. Конденсаты наночастиц CdSe/ZnS, их получение и фотофизические свойства 26
1.4.1. Методы получения конденсатов наночастиц CdSe/ZnS 26
1.4.2. Фотофизические свойства пленок наночастиц CdSe 26
1.5.0бласти применения наночастиц CdSe и CdSe/ZnS 28
1.6. Постановка задачи 30
ГЛАВА 2. Экспериментальная установка и методика исследований. 32
2.1. Методика лазерной флюориметрии для исследования наночастиц CdSe/ZnS 33
2.1.1. Лазерный флюориметр 33
2.1.2. Методика определения квантового выхода люминесценции 36
2.2 Методика регистрации люминесцентных изображений 37
2.3. Исследуемые образцы. Методика получения пленок с высокой концентрацией наночастиц 40
2.4. Методика лазерной интерферометрии для определения толщины пленок наночастиц... 44
ГЛАВА 3. Люминесценция наночастиц CdSe/ZnS В РАСТВОРЕ . 55
3.1. Спектры поглощения наночастиц CdSe/ZnS в растворе 56
3.2. Спектры люминесценции наночастиц в растворе при лазерном возбуждении на первый уровень размерного квантования 66
3.3. Анализ возможных механизмов формирования коротковолнового крыла в спектрах люминесценции наночастиц 68
3.4. Зависимость люминесценции наночастиц размером 4 нм в растворе от плотности потока возбуждающего излучения 70
3.5. Механизм формирования коротковолнового крыла за счет селективного возбуждения наночастиц лазерным излучением 73
3.6. Спектры люминесценции наночастиц в растворе при возбуждении во второй максимум спектра поглощения 78
3.7. Антистоксова люминесценция наночастиц размером 3.2 нм 80
3.7.1. Зависимость антистоксовой люминесценции от плотности потока возбуждающего излучения.81
3.7.2. Зависимость антистоксовой люминесценции от концентрации наночастиц 84
3.7.3. Зависимость антистоксовой люминесценции от температуры 90
ГЛАВА 4. Фотопроцессы в пленках наночастиц CdSe/ZnS РАЗМЕРОМ 3.2 НМИ4НМ . 99
4.1. Поглощение и люминесценция пленок наночастиц размером 4 нм 100
4.2. Люминесценция пленок наночастиц различной толщины 104
4.3. Зависимость люминесценции пленок наночастиц размером 4 им от плотности потока возбуждающего излучения 107
4.4. Люминесценция пленок с высокой концентрацией наночастиц размером 3.2 нм 111
4.5. Режимы воздействия мощного лазерного излучения на пленки с высокой концентрацией наночастиц 114
ГЛАВА 5. Порошковые люминофоры, активированные наночастицами CdSe/ZnS . 124
5.1. Методика приготовления люминесцентных порошков, активированных наночастицами CdSe/ZnS 125
5.2. Люминесценция порошковых люминофоров, активированных наночастицами CdSe/ZnS. 128
5.3. Применение разработанных порошковых люминофоров для выявления скрытых следов пальцев рук 130
Заключение 134
Список литературы. 139
Приложение
