Введение
1. Литературный обзор
1.1. Функциональные возможности фоторезисторных структур и их использование в оптоэлектронике 9
1.2. Особенности прохождения переменного тока в фоторезисторных структурах 14
1.3. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в фоторезисторных структурах 19
1.4. Электрические свойства электролюминесцентного конденсатора. Оптическая память в МДПДМ структурах 26
1.5. Методы исследования параметров кинетики рекомбинации носителей заряда в фоторезисторных структурах 32
2. Методика исследований
2.1. Установка для исследования оптических и электрических свойств фоторезисторных структур 36
2.2. Особенности изготовления электролюминесцентных структур 39
2.3. Методика исследования порошковых люминофоров методом термостимулированной емкости 42
2.4 Технология изготовления устройств оптической памяти. Методики исследований явлений оптической памяти. 44
2.5 Описание устройств на основе функциональных свойств резисторных оптопар и методика их исследования. 46
3. Исследование функциональных, оптических, электрических свойств фоторезистивных структур
3.1. Функциональные возможности идеального фото резистора питаемого переменным напряжением 53
3.2. Влияние кинетики межзонной рекомбинации на нелинейные искажения, вносимые фоторезистивной структурой, в регистрируемый нестационарный оптический сигнал 62
3.3. Фурье - анализ оптических сигналов модулированных по интенсивности фоторезистивной структурой, питаемой переменным напряжением 73
3.4. Определение параметров кинетики фоторезистора при нестационарном оптическом возбуждении 81
4. Исследование нелинейных искажений, вносимых фоторезистором с глубокими уровнями, в регистрируемый нестационарный оптический сигнал
4.1 Исследование фоторезистивных структур с глубокими уровнями при нестационарном освещении 93
4.2 Исследование явления оптической памяти 112
Заключение 119
