Введение
Глава 1. Методы получения потоков атомов металла, ионных пучков и пучков быстрых нейтральных молекул 11
1.1. Получение атомарных потоков осаждаемого материала в вакууме 11
1.2. Очистка и активация поверхностей и повышение подвижности атомов в процессе осаждения покрытия 20
1.3. Ионные источники для сопровождения процесса осаждения покрытий 23
1.4. Источники быстрых нейтральных атомов и молекул 34
1.5. Источники совмещенных потоков атомов металла и быстрых моле-
Глава 2. Получение смешанного потока атомов металла и быстрых мо -
2.1. Описание экспериментальной установки и методики измерений
2.2. Изучение разрядных характеристик источника смешанного потока, скорости осаждения и адгезии тонких пленок на диэлектрических под -
2.3. Повышение однородности толщины осаждаемых покрытий путем прерывания потока атомов металла через центр эмиссионной сетки 51
2.4. Зависимость скорости осаждения пленки от энергии бомбардирующих ее атомов аргона и интервала между импульсными пучками быст -
Глава 3. Методы повышения плотности потока атомов металла . 59
3.1. Описание экспериментальной модели источника и методик измерений . 60
3.2. Изучение параметров плазменного эмиттера источника и формируемых потоков атомов металла и быстрых молекул газа . 61
3.3. Исследование влияния неоднородного магнитного поля на долю распыляющих мишень ионов 67
3.4. Изучение влияния сопротивления резистора обратной связи на энергию быстрых молекул газа 71
3.5. Выводы 75
Глава 4. Источник с распыляемой на дне полого катода мишенью для синтеза покрытий на диэлектрических изделиях 77
4.1. Влияние конфигурации магнитного поля на разряд, распределение концентрации его плазмы и скорости распыления мишени 77
4.2. Применение источника с распыляемой в неоднородном магнитном поле мишенью для синтеза покрытий на диэлектрических подложках . 91
4.3. Выводы 100
Заключение . 103
Список литературы
