Введение
Глава 1. Выращивание метаморфных, упругокомпенсированных и упругонапряженных слоев А3В5 и А3В5-N (обзор) .8
1.1. Метаморфные буферные слои .8
1.2. Твердые растворы А3В5N с малой молярной долей азота
1.2.1. Физические свойства твердых растворов А3В5N с малой молярной долей азота (модель межзонного взаимодействия) 16
1.2.2. Монолитные оптоэлектронные микросхемы 21
1.2.3. Многопереходные солнечные элементы на основе твердых растворов GaP(NAs) и гетероструктур GaP(NAs)/Si
1.3. Проблемы эпитаксиального роста A3B5 структур на кремнии .32
1.4. Метод цифровых твердых растворов .38
Глава 2. Молекулярно-пучковая эпитаксия
2.1. Установка молекулярно-пучковой эпитаксии .43
2.2. Особенности выращивания азотсодержащих соединений с использованием газоразрядного источника атомарного азота .46
2.3. Влияние основных параметров эпитаксиального процесса на свойства и элементный состав твердых растворов GaPAsN 48
2.3.1. Зависимость состава тройного твердого раствора GaAsP от рабочих параметров газового разряда .48
2.3.2 Влияние температуры эпитаксии на коэффициент встраивания атомарного азота в эпитаксиальный слой 53
2.3.3 Влияние скорости эпитаксии на содержание азота в слоях GaPAsN 54
Глава 3. Структурные и оптические свойства механически напряженных слоев А3В5 и А3В5N на поверхности GaAs, GaP 56
3.1. Исследование наногетероструктуры метаморфного буферного слоя оригинальной конструкции .56
3.1.1. Наногетероструктура метаморфного буферного слоя специальной оригинальной конструкции 56
3.1.2. Технология производства и особенности конструкции полупроводниковой наногетероструктуры InAlGaAs/InAlAs/InAs метаморфного буферного слоя на подложке арсенида галлия .62
3.1.3. Исследование шероховатости поверхности и структурных свойств метаморфных наногетероструктур на поверхности арсенида галлия 3.2. Исследование упругокомпенсированных наногетероструктур InAs/GaAsN на поверхности GaAs 76
3.3. Исследование свойств твердых растворов GaPN, GaPAsN на поверхности GaP 3.3.1. Исследование четверных твердых растворов GaPAsN синтезированный на подложке GaP .91
3.3.2. Исследование гетероструктур GaNAsP/ GaNP синтезированных на подложке GaP .105
3.3.3. Электролюминесценция наногетероструктур GaPNAs через прозрачный электрод, сформированный из CVD-графена .112
Глава 4. Исследование упругонапряжённых гетероструктур GaPNAs на поверхности кремния 122
4.1. Рост переходного зародышевого слоя фосфида галлия на поверхности кремниевой подложки 122
4.2. Светоизлучающие диоды на основе твердых растворов GaP1-xNx(As) на подложках кремния 132
4.2.1. Конструкция гетероструктуры светоизлучающего диода GaP1-xNx(As) на подложке кремния .130
4.2.2. Исследование гетероструктуры светоизлучающего диода GaP1-xNx(As) на подложке кремния .134
4.2.3. Исследование характеристик светодиодов GaP1-xNx(As) на
подложке кремния .137
4.3. Исследование свойств многопереходных GaPNAs/Si солнечных
элементов 143
4.3.1. Особенности измерения спектральных характеристик GaPNAs/Si многопереходных солнечных элементов 143
4.3.2. Исследование свойств двухпереходных солнечных элементов .146
4.3.3. Испытания экспериментальных образцов трехпереходных солнечных элементов 148
4.3.4. Исследование фотоэлектрических характеристик многопереходных солнечных элементов 150
Заключение .158
Список литературы
