Введение
Глава 1. Гетероструктуры для фотоэлектрического преобразования солнечного излучения 12
1.1 Проблемы фотоэлектрического преобразования солнечной энергии 12
1.2. Солнечные элементы на основе гетероструктур 18
1.3. Зонная структура гетеропереходов 24
1.4 Транспорт носителей заряда в гетеропереходах 30
1.5 Теоретическая модель 36
Выводы по главе 1 47
Глава 2. Границы раздела в солнечных элементах на основе гетеропереходов a-Si:H/c-Si 48
2.1. Солнечные элементы на основе гетероперехода a-Si:H/c-Si 48
2.2. Влияние свойств границ раздела a-Si:H/c-Si на параметры СЭ 56
2.3. Методы исследования свойств границ раздела a-Si:H/c-Si 64
2.4. Характеризация поверхностных состояний на границе a-Si:H/c-Si 68
2.4.1. Метод спектроскопии полной проводимости 68
2.4.2. Исследование гетероперехода a-Si:H/c-Si с помощью метода спектроскопии полной проводимости 72
2.4.3. Метод на основе измерения диффузионной емкости 91
2.5 Определение разрывов зон на границе a-Si:H/c-Si 106
2.5.1. Вольт-фарадные измерения 106
2.5.2. Определение зонной структуры на основе измерения поверхностной проводимости инверсионного слоя 117
2.6 Зонная структура гетероперехода a-Si:H/c-Si 133
2.7. Влияние условий обработки поверхности на свойства СЭ
разной полярности 137
2.7.1 Влияние нелегированного слоя 137
2.7.2 Влияние обработки в плазме водорода 142
Выводы по главе 2 144
Глава 3. Границы раздела в многопереходных солнечных элементах на основе соединений АIIIBV 146
3.1 Многопереходные солнечные элементы на основе
соединений АIIIBV 146
3.2 Гетеропереходы на основе соединений АIIIBV 152
3.3. Анализ влияния свойств границ раздела на параметры
фотоэлектрических преобразователей на основе GaInP 154
3.4.Исследование свойств границ раздела АIIIBV 172
3.4.1. Оценка плотности поверхностных состояний 172
3.4.2. Определение паразитных потенциальных барьеров 183
3.5. Использование двухслойного широкозонного окна для p–n-структур 200
3.6. Границы раздела между фосфидами и арсенидами металлов III группы в многопереходных солнечных элементах 208
3.7. Перспективы использования анизотипных гетеропереходов в многопреходных СЭ на основе соединений АIIIBV 218
Выводы по главе 3 232
Глава 4. Границы раздела между соединениями АIIIBV и Ge ...234
4.1. Гетероструктура (n)GaInP/(n)Ge в многопереходных СЭ 234
4.2. Исследование свойств границ раздела (n)GaInP/(n)Ge 237
Выводы по главе 4 253
Основные результаты и выводы 255
Список литературы
