Введение
ГЛАВА 1. Анализ современного уровня системного проектирования конечных изделий на основе СБИС класса «Система на кристалле» 15
1.1. Системное проектирование конечных изделий на основе СБИС СнК в российских технологиях 15
1.2. Зарубежные технологии системного уровня проектирования 19
1.3. Постановка задачи исследования 24
Выводы по главе 26
ГЛАВА 2. Методология проектирования конечных изделий, включающих вычислительные машины и комплексы, на основе СБИС СнК 28
2.1. Последовательность и содержание работ по методологии 28
2.2. Структура и функционирование SystemC-модели 43
Выводы по главе 46
ГЛАВА 3. Методы построения SystemC-моделей 48
3.1. Системный уровень проектирования в технологиях современных САПР электроники 48
3.2. Метод формирования информационной нагрузки (тестовых воздействий) на модель на уровне транзакций 52
3.3. Метод построения макроструктуры модели в стиле блочного проектирования 55
3.3.1. Использование централизованного фонда СФ-блоков 58
3.3.2. Использование внутренних библиотек СФ-блоков 58
3.4. Методы моделирования времени выполнения алгоритмов 59
3.4.1. Аналитический метод определения задержек 60
3.4.2. Метод учета производительности ІР-блоков 63
3.4.3. Учет задержек, вносимых операционными системам 66
3.5. Метод верификации системных SystemC-моделей по технологии моделирования на уровне транзакций 73
3.6. Документация модели - составной части технического задания для проектной организации 78
3.7. Метод использования SystemC-моделей в центрах проектирования кристалла для создания RTL- описания СБИС СнК 83
3.8.Использование стандартной открытой спецификации языка SystemC .93
Выводы по главе 96
ГЛАВА 4. Практическое применение методологии 99
4.1. Модель вычислительного комплекса 99
4.2. Модель сетевого коммутатора 109
4.3. Модель базового модуля первичной цифровой обработки сигнала...120
Вывод по главе 123
Заключение
