Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники - 67-989-0
Структурно-морфологические особенности нитрида алюминия в зависимости от условий получения
Структурно-морфологические особенности нитрида алюминия в зависимости от условий получения
99 000 UZS
Автор
Четвергов, Михаил Владимирович
Количество страниц
Год
2000
Применение зондирующего СВЧ электромагнитного излучения для определения рекомбинационных свойств полупроводников
Применение зондирующего СВЧ электромагнитного излучения для определения рекомбинационных свойств полупроводников
99 000 UZS
Автор
Тюрнев, Николай Валерьевич
Количество страниц
Год
2000
Разработка технологии ядерного легирования монокристаллического кремния больших размеров
Разработка технологии ядерного легирования монокристаллического кремния больших размеров
99 000 UZS
Автор
Стук, Алексей Афанасьевич
Количество страниц
Год
2000
Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InGaAsSbP в поле температурного градиента
Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InGaAsSbP в поле температурного градиента
99 000 UZS
Автор
Разумовский, Павел Иванович
Количество страниц
Год
2000
Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента
Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента
99 000 UZS
Автор
Середин Лев Михайлович
Количество страниц
Год
2000
Разработка активных и пассивных материалов для приборов неразрушающего контроля узлов и агрегатов АЭС
Разработка активных и пассивных материалов для приборов неразрушающего контроля узлов и агрегатов АЭС
99 000 UZS
Автор
Мустафинов, Эдуард Николаевич
Количество страниц
Год
2000
Синтез и физико-химические свойства кристаллических материалов для сенсорных устройств в системе Li2MoO4 - Li2WO4
Синтез и физико-химические свойства кристаллических материалов для сенсорных устройств в системе Li2MoO4 - Li2WO4
99 000 UZS
Автор
Кирсанова Светлана Викторовна
Количество страниц
Год
2010
Разработка методов управляемого формирования и исследование тонкопленочных опаловых наноструктур
Разработка методов управляемого формирования и исследование тонкопленочных опаловых наноструктур
99 000 UZS
Автор
Беседина Ксения Николаевна
Количество страниц
Год
2014
Искусственно и естественно упорядоченные микро- и наноразмерные капиллярные мембраны на основе анодного оксида алюминия
Искусственно и естественно упорядоченные микро- и наноразмерные капиллярные мембраны на основе анодного оксида алюминия
99 000 UZS
Автор
Муратова Екатерина Николаевна
Количество страниц
Год
2014
Низкочастотная вибрационная активация расплавов в процессе выращивания расплавов в процессе выращивания кристаллов химических соединений методами напрвленной кристаллизации
Низкочастотная вибрационная активация расплавов в процессе выращивания расплавов в процессе выращивания кристаллов химических соединений методами напрвленной кристаллизации
99 000 UZS
Автор
Суханова Екатерина Андреевна
Количество страниц
Год
2014
Разработка и создание установки для бесконтактного измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов и нанокомпозитов
Разработка и создание установки для бесконтактного измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов и нанокомпозитов
99 000 UZS
Автор
Щемеров Иван Васильевич
Количество страниц
Год
2014
Разработка методов синтеза нанодисперсного люминофора NaYF4:Yb:Er для биомедицинских исследований
Разработка методов синтеза нанодисперсного люминофора NaYF4:Yb:Er для биомедицинских исследований
99 000 UZS
Автор
Ясыркина Дарья Семеновна
Количество страниц
Год
2014
Закономерности осаждения слоев диоксида титана из газовой фазы, содержащей тетраизопропилат титана
Закономерности осаждения слоев диоксида титана из газовой фазы, содержащей тетраизопропилат титана
99 000 UZS
Автор
Барышникова Марина Владимировна
Количество страниц
Год
2013
Высокоскоростная кристаллизация меди и ее соединений в низкотемпературной лазерной плазме
Высокоскоростная кристаллизация меди и ее соединений в низкотемпературной лазерной плазме
99 000 UZS
Автор
Богоносов Константин Александрович
Количество страниц
Год
2014
Влияние дефектности структуры на электрофизические свойства термоэлектрических материалов на основе халькогенидов Bi и Sb, полученных методом вертикальной направленной кристаллизации и экструзии
Влияние дефектности структуры на электрофизические свойства термоэлектрических материалов на основе халькогенидов Bi и Sb, полученных методом вертикальной направленной кристаллизации и экструзии
99 000 UZS
Автор
Гочуа, Константин Владиславович
Количество страниц
Год
2013
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3