Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Локализация и баллистический транспорт носителей тока в кремниевых наноструктурах
Локализация и баллистический транспорт носителей тока в кремниевых наноструктурах
99 000 UZS
Автор
Буравлев Алексей Дмитриевич
Количество страниц
Год
2002
Карбид кремниевый лавинно-пролетный диод
Карбид кремниевый лавинно-пролетный диод
99 000 UZS
Автор
Василевский Константин Валентинович
Количество страниц
Год
2002
Идентификация механизмов токопереноса структур Me-a-Si: H при автоматизированной обработке экспериментальных данных
Идентификация механизмов токопереноса структур Me-a-Si: H при автоматизированной обработке экспериментальных данных
99 000 UZS
Автор
Вихров Дмитрий Сергеевич
Количество страниц
Год
2002
Процессы синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниках для нелинейной оптики ИК-диапазона
Процессы синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниках для нелинейной оптики ИК-диапазона
99 000 UZS
Автор
Воеводина Ольга Викторовна
Количество страниц
Год
2002
Диагностика квантовых ям в системе (In, Ga)As/GaAs методом стационарной емкостной спектроскопии
Диагностика квантовых ям в системе (In, Ga)As/GaAs методом стационарной емкостной спектроскопии
99 000 UZS
Автор
Цвелев Егор Олегович
Количество страниц
Год
2003
Фотоинжекция водорода в твердых телах
Фотоинжекция водорода в твердых телах
99 000 UZS
Автор
Гаврилюк Александр Иванович
Количество страниц
Год
2002
Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии
Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии
99 000 UZS
Автор
Джабраилов Тайяр Акбер оглы
Количество страниц
Год
2001
Исследование явлений самоорганизации при эпитаксии гетероструктур
Исследование явлений самоорганизации при эпитаксии гетероструктур
99 000 UZS
Автор
Жаринова Наталья Николаевна
Количество страниц
Год
2001
Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками
Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками
99 000 UZS
Автор
Зайцев Роман Владимирович
Количество страниц
Год
2001
Исследование особенностей акустических, магнитных и электрических свойств магнитного полупроводника La0,825 Sr0,175 MnO3 вблизи структурных и магнитного фазовых переходов
Исследование особенностей акустических, магнитных и электрических свойств магнитного полупроводника La0,825 Sr0,175 MnO3 вблизи структурных и магнитного фазовых переходов
99 000 UZS
Автор
Булатов Альберт Рунарович
Количество страниц
Год
2002
Взаимодействие вакуумного ультрафиолетового излучения с тонкими неорганическими пленками
Взаимодействие вакуумного ультрафиолетового излучения с тонкими неорганическими пленками
99 000 UZS
Автор
Калитеевская Наталия Алексеевна
Количество страниц
Год
2001
Исследование тонкопленочных структур на основе CdTe и их применение в солнечных батареях
Исследование тонкопленочных структур на основе CdTe и их применение в солнечных батареях
99 000 UZS
Автор
Колобаев Виктор Валентинович
Количество страниц
Год
2001
Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
99 000 UZS
Автор
Кудряшов Владимир Евгеньевич
Количество страниц
Год
2001
Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором
Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором
99 000 UZS
Автор
Кузнецов Сергей Викторович
Количество страниц
Год
2001
Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
99 000 UZS
Автор
Воробьева Татьяна Альбертовна
Количество страниц
Год
2002
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3