Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками

Воробьева Татьяна Альбертовна. Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками : диссертация ... кандидата технических наук : 01.04.10.- Ульяновск, 2002.- 143 с.: ил. РГБ ОД, 61 03-5/1650-7
Автор
Воробьева Татьяна Альбертовна
Год
2002

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда
99 000 UZS
Автор
Потапова Дарья Александровна
Количество страниц
Год
2001
Магнитооптика квазиодномерных и квазинульмерных полупроводниковых структур с примесными центрами
99 000 UZS
Автор
Грунин Александр Борисович
Количество страниц
Год
2002
Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs
99 000 UZS
Автор
Субач Сергей Владимирович
Количество страниц
Год
2001
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота : Применение для p-легирования ZnSe и роста GaN
99 000 UZS
Автор
Жмерик Валентин Николаевич
Количество страниц
Год
2001
Полевые и биполярные приборы на основе карбида кремния
99 000 UZS
Автор
Иванов Павел Анатольевич
Количество страниц
Год
2001
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3