Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Фотоэлектрические свойства пленок сульфида свинца с различным потенциальным рельефом зон
Фотоэлектрические свойства пленок сульфида свинца с различным потенциальным рельефом зон
99 000 UZS
Автор
Алешин, Алексей Николаевич
Количество страниц
Год
2000
Экситон-электронное взаимодействие в модулированно-легированных квантовых ямах на основе полупроводников А2В6
Экситон-электронное взаимодействие в модулированно-легированных квантовых ямах на основе полупроводников А2В6
99 000 UZS
Автор
Астахов, Георгий Владимирович
Количество страниц
Год
2000
Анализ областей несмешиваемости квазибинарных твердых растворов III-V и II-VI групп
Анализ областей несмешиваемости квазибинарных твердых растворов III-V и II-VI групп
99 000 UZS
Автор
Черемухина Ирина Анатольевна
Количество страниц
Год
2001
Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия
Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия
99 000 UZS
Автор
Бланк, Татьяна Владимировна
Количество страниц
Год
2000
Электронные явления в массивах квантовых точек германия в кремнии
Электронные явления в массивах квантовых точек германия в кремнии
99 000 UZS
Автор
Якимов Андрей Иннокентьевич
Количество страниц
Год
2001
Влияние дефектной подсистемы на фотоэлектрические свойства кремния
Влияние дефектной подсистемы на фотоэлектрические свойства кремния
99 000 UZS
Автор
Возний, Максим Валериевич
Количество страниц
Год
2000
Радиационно-стимулированные процессы в кристаллах LiBaF3
Радиационно-стимулированные процессы в кристаллах LiBaF3
99 000 UZS
Автор
Воронова, Валерия Васильевна
Количество страниц
Год
2000
Теоретическое исследование зонной структуры и оптических и кинетических свойств квазиодномерных электронных систем
Теоретическое исследование зонной структуры и оптических и кинетических свойств квазиодномерных электронных систем
99 000 UZS
Автор
Агасян, Мгер Мартиросович
Количество страниц
Год
2000
Исследование изменений свойств приповерхностныхслоев фосфида индия под действием атомов водорода тепловых энергий
Исследование изменений свойств приповерхностныхслоев фосфида индия под действием атомов водорода тепловых энергий
99 000 UZS
Автор
Горбенко, Виталий Иванович
Количество страниц
Год
2000
Люминесцентные свойства моно- и поликристаллов нелегированного и легированного медью тетрабората лития
Люминесцентные свойства моно- и поликристаллов нелегированного и легированного медью тетрабората лития
99 000 UZS
Автор
Гунда, Борис Михайлович
Количество страниц
Год
2000
Излучательная рекомбинация в активных средах полупроводниковых лазеров на основе широкозонных соединений А2В6
Излучательная рекомбинация в активных средах полупроводниковых лазеров на основе широкозонных соединений А2В6
99 000 UZS
Автор
Гурский, Александр Леонидович
Количество страниц
Год
2000
Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
99 000 UZS
Автор
Ардышев Михаил Вячеславович
Количество страниц
Год
2000
Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на базе монокристаллического теллурида кадмия
Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на базе монокристаллического теллурида кадмия
99 000 UZS
Автор
Демич, Николай Васильевич
Количество страниц
Год
2000
Физические свойства гетеропереходов в системе сульфид-теллурид кадмия
Физические свойства гетеропереходов в системе сульфид-теллурид кадмия
99 000 UZS
Автор
Барасюк, Ярослав Николаевич
Количество страниц
Год
2000
Особенности распространения поверхностных и оттекающих акустических волн в монокристаллах и слоистых средах
Особенности распространения поверхностных и оттекающих акустических волн в монокристаллах и слоистых средах
99 000 UZS
Автор
Диденко, Ирина Сергеевна
Количество страниц
Год
2000
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3