Введение
Глава 1 Радиационный отжиг арсенида галлия (обзор литературных данных) 12
1.1. Импульсный отжиг GaAs в адиабатическом режиме 14
1.2. Импульсный отжиг GaAs в изотермическом режиме 23
1.3. Постановка задачи исследований 29
Глава 2 Методика эксперимента 32
2.1 Исходный материал 32
2.2 Имплантация ионов 32
2.3 Диэлектрические плёнки и отжиг 38
2.4 Измерения на тестовых кристаллах 43
2.5 Измерение удельного сопротивления, слоевой концентрации и холловской подвижности электронов (метод Ван дер Пау)
Глава 3 Роль атермических факторов в процессах перераспределения примесей в GaAs при радиационном отжиге 51
3.1 Электронный отжигЄаАв, имплантированного Si 52
3.1.1 Расчёт распределения поглощённой энергии при облучении электронами и температуры нагрева GaAs 53
3.1.2 Электрофизические свойства ИЛС n-GaAs, имплантированного кремнием, после электронного отжига 61
3.2 Фотонный отжиг GaAs, имплантированного кремнием и серой 74
3.2.1 Расчёт температуры нагрева при фотонном отжиге 75
3.2.2 Электрофизические свойства ИЛС GaAs : Si после фотонного отжига 76
3.2.3 Электрофизические свойства ИЛС GaAs: S после ФО 79
Выводы к Главе 3 87
Глава 4 Исследование влияния различных факторов на поведение примеси и дефектов в GaAs при радиационном отжиге 89
4.1 Определение параметров концентрационного профиля примеси после отжига 89
4.2 Влияние температуры при фотонном и плотности мощности при электронном отжигах на поведение кремния в ар-сениде галлия 92
4.3 Влияние диэлектрических плёнок на поведение Si в GaAs 101
4.3.1 Механические напряжения в структуре диэлектрик-полупроводник 102
4.3.2 Концентрационные профили 103
4.4 Влияние исходного материала на поведение кремния в арсениде галлия 107
4.5 К вопросу о механизме наблюдаемых явлений 116
4.5.1 Диффузия примеси, стимулированная ионизационно-термическим процессом 119
4.5.2 Электроактивация примеси, стимулированная ионизационно-термическим процессом 122
Выводы к Главе 4 125
Глава 5 Применение ионизационно-термической технологии в производстве структур полупроводниковых приборов
5.1 Полевые транзисторы с барьером Шоттки 127
5.2 Варикапы 132
Выводы к Главе 5 136
Заключение 138
Список публикаций автора 140
Литература 142
Приложение 151
