Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Емкостные и транспортные свойства квазидвумерных электронных слоев в субмикронных полевых транзисторах современной микроэлектроники
Емкостные и транспортные свойства квазидвумерных электронных слоев в субмикронных полевых транзисторах современной микроэлектроники
99 000 UZS
Автор
Тимофеев, Максим Владимирович
Количество страниц
Год
2000
Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур
Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур
99 000 UZS
Автор
Токранов, Вадим Ефимович
Количество страниц
Год
2000
Влияние непараболичности закона дисперсии носителей заряда на примесные состояния в низкоразмерных полупроводниковых системах
Влияние непараболичности закона дисперсии носителей заряда на примесные состояния в низкоразмерных полупроводниковых системах
99 000 UZS
Автор
Аветисян, Артак Араевич
Количество страниц
Год
2000
Газовая чувствительность поверхностно-барьерных структур на основе кремния, арсенида галлия и сульфида кадмия с сверхтонкими пленками титана и никеля
Газовая чувствительность поверхностно-барьерных структур на основе кремния, арсенида галлия и сульфида кадмия с сверхтонкими пленками титана и никеля
99 000 UZS
Автор
Бомк, Олег Иосифович
Количество страниц
Год
2000
Деградационные и релаксационные процессы в светодиодах GaP, обусловленные ультразвуком и радиацией
Деградационные и релаксационные процессы в светодиодах GaP, обусловленные ультразвуком и радиацией
99 000 UZS
Автор
Гонтарук, Александр Николаевич
Количество страниц
Год
2000
Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия n-типа
Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия n-типа
99 000 UZS
Автор
Давлеткильдеев, Надим Анварович
Количество страниц
Год
2000
Статические, динамические и пороговые характеристики быстродействующих гетеролазеров
Статические, динамические и пороговые характеристики быстродействующих гетеролазеров
99 000 UZS
Автор
Костко Ирина Андреевна
Количество страниц
Год
2002
Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением
Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением
99 000 UZS
Автор
Марков Кирилл Александрович
Количество страниц
Год
2002
Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса
Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса
99 000 UZS
Автор
Садофьев Сергей Юрьевич
Количество страниц
Год
2002
Электрические, магнитооптические и магнитоакустические эффекты в магнитном полупроводнике -Fe2 O3
Электрические, магнитооптические и магнитоакустические эффекты в магнитном полупроводнике -Fe2 O3
99 000 UZS
Автор
Садыков Марат Фердинантович
Количество страниц
Год
2002
Электрофизические и оптические свойства градиентных структур на основе стеклоподобного AsS
Электрофизические и оптические свойства градиентных структур на основе стеклоподобного AsS
99 000 UZS
Автор
Шовак, Иван Иванович
Количество страниц
Год
2000
Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs
Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs
99 000 UZS
Автор
Черкашин Николай Анатольевич
Количество страниц
Год
2002
Аддитивная теория силового взаимодействия в атомно-силовой микроскопии и ее приложения в диагностике поверхностных микроструктур
Аддитивная теория силового взаимодействия в атомно-силовой микроскопии и ее приложения в диагностике поверхностных микроструктур
99 000 UZS
Автор
Благов Евгений Владимирович
Количество страниц
Год
2001
Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза
Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза
99 000 UZS
Автор
Боженов Александр Вячеславович
Количество страниц
Год
2001
Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2 S3)x . (As2 Se3 )1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации
Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2 S3)x . (As2 Se3 )1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации
99 000 UZS
Автор
Ишимов Виктор Михайлович
Количество страниц
Год
2002
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3