Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Спектры элементарных возбуждений решетки кристалловгруппы In-Se, In-Te
Спектры элементарных возбуждений решетки кристалловгруппы In-Se, In-Te
99 000 UZS
Автор
Рущанский, Константин Золтанович
Количество страниц
Год
2000
Статика и линейная динамика магнитной системы сильноанизотропных ферримагнитных диэлектриков
Статика и линейная динамика магнитной системы сильноанизотропных ферримагнитных диэлектриков
99 000 UZS
Автор
Лагутин, Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
Процеси формування тонких дiелектричных та приповерхневих напiвпровiдникових шарiв у кремнiевих структурах при нерiвноважних впливах
Процеси формування тонких дiелектричных та приповерхневих напiвпровiдникових шарiв у кремнiевих структурах при нерiвноважних впливах
99 000 UZS
Автор
Назаров, Алексей Николаевич
Количество страниц
Год
Исследование рекомбинационных параметров поликристаллического кремния для солнечных батарей
Исследование рекомбинационных параметров поликристаллического кремния для солнечных батарей
99 000 UZS
Автор
Али Ибрагим Боуба
Количество страниц
Год
Электрофизические и оптические свойства кремния, имплантированного ионами высоких энергий
Электрофизические и оптические свойства кремния, имплантированного ионами высоких энергий
99 000 UZS
Автор
Аль-Баккур Фавзи ибн Абдулла
Количество страниц
Год
Внутренний фотоэффект и ударная ионизация в пленках a-Si1-x(GexC)x:H и TiAsGe2
Внутренний фотоэффект и ударная ионизация в пленках a-Si1-x(GexC)x:H и TiAsGe2
99 000 UZS
Автор
Кумеков, Марат Ешмухамбетович
Количество страниц
Год
Рентгеноструктурные исследования сегнетоэластического фазового перехода в галогенидах одновалентной ртути
Рентгеноструктурные исследования сегнетоэластического фазового перехода в галогенидах одновалентной ртути
99 000 UZS
Автор
Бойко, Михаил Евгеньевич
Количество страниц
Год
Дослiження електрофiичних властивостей органiних надпровiдних та металiчних комплексiв на основi молекули BEDT-TTF та ii аналогiв
Дослiження електрофiичних властивостей органiних надпровiдних та металiчних комплексiв на основi молекули BEDT-TTF та ii аналогiв
99 000 UZS
Автор
Бондаренко, Владимир Александрович
Количество страниц
Год
Множественная полосковая структура с квазиодномерным электронным спектром в сильном магнитном поле
Множественная полосковая структура с квазиодномерным электронным спектром в сильном магнитном поле
99 000 UZS
Автор
Руденко, Андрей Семенович
Количество страниц
Год
Фотоиндуцированные изменения и процессы плазмохимического травления ХГС
Фотоиндуцированные изменения и процессы плазмохимического травления ХГС
99 000 UZS
Автор
Федотова, Ирина Витальевна
Количество страниц
Год
ЕПР спектроскопiя чистих i легованих кристалiв нiобату лiтiю i парателурiту
ЕПР спектроскопiя чистих i легованих кристалiв нiобату лiтiю i парателурiту
99 000 UZS
Автор
Ракитина, Людмила Григорьевна
Количество страниц
Год
Исследование оптических и электрических свойств кристаллов Si и Ge, содержащих дислокации и границы зерен
Исследование оптических и электрических свойств кристаллов Si и Ge, содержащих дислокации и границы зерен
99 000 UZS
Автор
Шретер, Юрий Георгиевич
Количество страниц
Год
Влияние легирования селеном на рост. структуру и свойства монокристаллов теллура
Влияние легирования селеном на рост. структуру и свойства монокристаллов теллура
99 000 UZS
Автор
Шульга, Наталья Константиновна
Количество страниц
Год
Исследование фононного спектра дииодида ртути методом комбинационного рассеяния света
Исследование фононного спектра дииодида ртути методом комбинационного рассеяния света
99 000 UZS
Автор
Гайслер, Владимир Анатольевич
Количество страниц
Год
Влияние собственных дефектов на оптические свойства CdIn2S4 и CdGa2S4 и их ионно-лучевой синтез
Влияние собственных дефектов на оптические свойства CdIn2S4 и CdGa2S4 и их ионно-лучевой синтез
99 000 UZS
Автор
Грузинцев, Александр Николаевич
Количество страниц
Год
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3