Введение
1. Ионно-плазменные методы формирования углеродосодержащих 10
1.1. Преимущества использования углеродосодержащих покрытий 10
1.2. Технологии формирования пленок состава: а-С, а-С-Ме, а-С:Н-Ме 13
1.3. Технологические методы осаждения покрытий 15
1.3.1. Вакуумно-дуговое распыление 17
1.3.2. Магнетронное распыление 17
1.3.3. Распыление ионным пучком 18
1.4. Антиэмиссионные покрытия 19
1.5. Радиопоглощающие покрытия 21
2. Напыление покрытий на основе углерода из плазмы вакуумно-дугового разряда 24
2.1. Особенности распыления графитового катода 26
2.2. Перенос распыляемого материала в зоне распыления 31
2.3. Осаждение заряженных частиц и формирования покрытия 35
2.4. Диффузионные процессы при создании покрытий на основе
2.4.1. Основные механизмы диффузионных процессов 41
2.5. Технологическая установка для нанесения покрытий с помощью дугового разряда в вакууме 44
2.6. Формирование покрытий на основе углерода из плазмы вакуумно-дугового разряда 46
3. Вакуумный модуль загрузки: предварительная обработка диэлектрических нетермостойких поверхностей 66
3.1.Система предварительного нагрева диэлектрических поверхностей с различными коэффициентами термостабильности 67
3.2.Плазменная система для ионной очистки и травления диэлектриков 71
3.3.Конструкции источников быстрых нейтральных частиц 76
3.3.1. Источник быстрых нейтральных частиц с полым катодом . 76
3.3.2. Источник быстрых нейтральных частиц с полым анодом . 77
3.3.3. Источник быстрых нейтральных частиц с электродом под плавающим потенциалом 77
3.4. Физические основы работы источников быстрых нейтралов 78
3.4.1. Генерация ионов 78
3.4.2. Резонансная перезарядка 80
3.4.3. Физические основы нейтрализации ионов при отражении . 81
3.4.4. Потери энергии при отражении от поверхности твердого тела 84
3.5. Управляемый газоразрядный источник быстрых нейтральных частиц 85
Выводы 93
4. Технологические основы формирования углеродосодержащих покрытий при использовании магнетронных распылительных систем 95
4.1. Математическая модель магнетронного разряда с плоским катодом 98
4.2. Влияние магнитного поля на протекание технологических процессов . 101
4.2.1. Расчет скорости распыления никеля 103
4.2.2. Расчет распределения толщины напыленной пленки по поверхности подложки 104
4.3. Применение МРС с магнитными системами из редкоземельных металлов для распыления ферромагнитных материалов 107
4.3.1. Моделирование магнитных полей постоянных магнитов Sm-Co в пакете прикладных программ 108
4.4. Применение различных режимов включения соленоидов в магнетронных распылительных системах . 112
4.5. Трехмерное численное моделирование электромагнитного поля системы соленоидов 118
4.6. Нанесение углеродосодержащих покрытий магнетронной распылительной системой 123
Выводы . 126
5. Свойства тонких углеродных пленок 127
5.1. Исследование морфологии поверхности полученных пленок 127
5.2. Электромагнитные свойства пленок углерода составов -С:Н-Ме 128
5.3. Частотно-селективные структуры для изготовления РПМ 131
Выводы . 139
Заключение 140
Список литературы 141
