Введение
Глава 1. Современные методы анализа твёрдого тела 10
1.1 Спектроскопия атомов отдачи 11
1.2 Вторичная ионная масс-спектрометрия 12
1.3 Методы, основанные на измерении электронных спектров 13
1.4 Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия 16
1.5 Методы восстановления дифференциальных сечений неупругого рассеяния электронов, основанные на обратной свертке экспериментальных спектров 24
1.6 Основные результаты и выводы главы 1 30
Глава 2. Последовательный расчёт спектров электронной спектроскопии с учётом многократных упругих и неупругих рассеяний . 32
2.1 Описание процесса переноса электронов в однородном слое твёрдого тела на основе уравнения переноса 32
2.2 Метод инвариантного погружения для слоёв конечной толщины 34
2.3 Расчёт спектров слоисто неоднородных структур
2.3.1 Прямой расчёт спектров ХПЭ на отражение 38
2.3.2 Прямой расчёт спектров РФЭС спектров 38
2.4 Основные результаты и выводы главы 2 41
Глава 3. Определение дифференциальных сечений неупругого рассеяния электронов в твёрдых телах 43
3.1 Тип представляемого сечения неупругого рассеяния 45
3.2 Восстановление сечений на основе многократного решения прямой задачи. Метод подбора 3.2.1 Применение методики восстоновления сечений к ХПЭ спектрам 47
3.2.2 Применение методики восстоновления сечений к РФЭС спектрам
3.3 Дифференциальные сечения неупругого рассеяния электронов в алюминии в диапазоне энергий 0,5-120 кэВ 52
3.4 Восстановление дифференциальных сечений неупругого рассеяния Nb 56
3.5 Восстановление сечений неупругого рассеяния вольфрама из спектров РФЭС и ХПЭ 59
3.6 Основные результаты и выводы главы 3 62
Глава 4. Практическое применение развиваемой методики для определения параметнов образцов 65
4.1 Использование СПУЭ для анализа углеводородного образца 65
4.2 Пример обработки спектров от многослойных образцов (SiOx/Si, Au/Si) 68
4.3 Применение СОЭ для расчёта толщин напылённых слоёв Nb на подложке Si 71
4.4 Основные результаты и выводы главы 4 76
Заключение 78
Список литературы
