Введение
Глава 1. Литературный обзор по мощного приборам применяемым в силовых интеллектуальных схемах 11
1.1 Интеллектуальные силовые интегральные схемы 11
1.2 Способы объединения маломощных и мощных частей схемы на одном кристалле 12
1.3 Основные силовые приборы, используемые в качестве ключа 17
1.4 Особенности использования силовых МОП транзисторов 21
1.5. Планарные силовые МОП транзисторы 25
1.6 Классификация методов самосовмещения 28
1.7 Применение моделирования при разработке полупроводниковых приборов 31
1.8 Выводы 34
Глава 2 Разработка методики моделирования мощных планарных МОП-транзисторов 36
2.1 Обоснование необходимости применения приборно-технологического моделирования при разработке приборов 36
2.2 Структура и характеристики пакета ISE TCAD 3 7
2.3 Приборно-технологическое моделирование мощных МОП транзисторов 39
2. 4 Выводы 41
Глава 3. Исследование влияния геометрии слоев структуры на электрофизические параметры прибора 43
3.1 Структура МОП-транзисторов 43
3.2 Исследование влияния способа формирования локального окисла на пороговое напряжение 4 6
3.3 Исследование влияния длины затвора над активным и пассивным каналами мощного МОП- транзистора 53
3. 4 Выводы 65
Глава 4. Моделирование структуры самосовмещенного п-МОП транзистора 67
4.1 Структура самосовмещенного л-МОП транзистора со "спейсером" 67
4.2 Структура самосовмещенного п-МОП транзистора без "спейсера" 72
4.3 Структура самосовмещенного п-МОП с двумя локальными окислами 77
4 . 4 Выводы 84
Глава 5. Экспериментальная апробация конструктивно технологических решений 85
5.1 Технологический маршрут изготовления мощных МОП транзисторов с применением методов самосовмещения 85
5.2 Измерения электрических характеристик образцов мощных МОП транзисторов 95
5 . 3 Выводы 105
Заключение 111
Список используемых источников 114
