Введение
Глава 1 Интеллектуальные силовые интегральные схемы 10
1.1 Состав интсллектуальных силовых ИС и требования к мощному элементу,.!G
1.2 Способы изоляции элементов интеллектуальных силовых ИС 12
1.3 Достоинства и недостатки интеллектуальных силовых ИС. созданных на основе тонкопленочной КНИ-технологии 18
1.4 Сущеегвующие конструктивно-технологические варианты создания мощных КНИ-транзи стеров для интеллектуальных силовых ИС 22
1.5 Область безопасной работы мощных ключей... 29
1.6 Методы исследования мощных КНИ МОП-транзисторов 32
1.7 Общие выводы, постановка цели и задач диссертации ...33
Глава 2. Анализ структуры планарного мощного кни моп-транзистора с целью выявления факторов, ограничивающих его область безопасной работы, и создание расчетной модели оптимизируемой конструкции 34
2.1 Анализ факторов, ограпичиваишщх область безопасной работы мощных КНИ МОП—транзисторов по напряжению и току. 34
2.2 Анализ базовых ячеек мощных КНИ МОП-транзисторок и создание на основе анализа расчетной модели для оптимизации структуры прибора 40
2.3 Выводы 48
Глава 3- Методика моделирования области безопасной работы 49
3.1 Особенности моделирования мощных КНИ МОП-транзисторов 49
3.2 Маршрут моделирования области безопасной работы мощных КНИ МОП-транзисторов 53
3.3 Создание трехмерной модели исследуемого прибора для расиста его электрических характеристик 57
3.4 Обзор основных моделей для расчета электрических характеристик прибора 62
3.5 Моделирование распределении тепловых потоков 71
3.6 Выводы 73
Глава 4. Исследование зависимости факторов, ограничивающих область безопасной работы мощного книмоп-транзистора, от конструктив но -технологических параметров прибора 74
4.1 Исследование яатшснмосш пробивного напряженна от конструктивно-технологических параметров прибора 74
4.2 Исследование зависимости предельного значения выходного тока, ограниченного включением паразитного биполярного транзистора, от конструктивно-технологических параметров прибора.. ...86
4.3 Исследование -.адниеиыости параметров температурной области безопасной работы от конструктивно-технологических параметров прибора. ...90
4.4 Сопоставление границ :лсктрической и температурной области безопасной работы прибора 95
4.5 Выводы 97
Глава 5 Разработка конструктивно-технологических решений создания планарных мощных кни моп-транзисторов с расширенной областью безопасной работы 99
5.1 Исследование тепловых свойств базовых ячеек мощного КНИ МОП-транзистора 99
5 А .1 Исследование тепловых свойств тестовой ячейки мощного транзистора 99
5.1.2 Исследование тепловых свойств мощного транзистора в составе ИСИС 108
5.1.3 Исследование распределения температуры вне областей размещения мощного транзистора в ИСИС 113
5 1,4 Экспериментальное исследование тестовой ячейки мощного транзистора 118
5,2 Выбор конструкции и технологии изготовления мощного элемента базовой ячейки с целью расширения его области безопасной работы 124
5.3 Выводы 127
Выводы по работе 129
Список использованных источников 131
Приложения 140
