Введение
Глава 1 Современное состояние методов контроля и измерения параметров сверхтонких сегнетоэлектрических пленок
1.1 Применение наноразмерных сегнетоэлектрических пленок 15
1.2 Обзор методов получения сверхтонких сегнетоэлектрических пленок
1.3 Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах
1.4 Обзор методов исследования сегнетоэлектрических пленок 34
Выводы к первой главе 50
Глава 2 Разработка теоретической модели, описывающей взаимосвязь структуры и свойств наноразмерных сегнетоэлектрических; материалов 51
2.1 Тензорное описание свойств:материалов 51
2.2 Эффективные упругие, пьезоэлектрические и диэлектрические характеристики нанополикристаллов
2.3 Модель расчета свойств нанополикристалла , 56
2.4 Характеристики нанополикристаллического Si02 59
2.5 Характеристики нанопьезокерамики системы ЦТС 63
2.6 Расчет пьезоэлектрических модулей пористой пьезокерамики
Выводы ко второй главе 73
Глава 3 Разработка инструментария и методов контроля интегральных параметров сегнетоэлектрических пленок толщиной менее 100 нм 74
3.1 Разработка макета стенда для измерения электрофизических и температурозависимых свойств диэлектрических пленок толщиной менее 100 нм
3.2 Методика измерения электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок толщиной менее 100 нм
3.3 Измерение температурозависимых свойств сегнетоэлектрических пленок толщиной менее 100 нм
3.4 Исследование оптических свойств сверхтонких сегнетоэлектрических пленок
3:5 Исследование параметров сверхтонких сегнетоэлектрических пленок толщиной менее 100 нм методами ОЖЕ, ВИМС 93
Выводы к третьей главе 95
Глава 4 Методы контроля в локальных областях параметров сверхтонких пленок сегнетоэлектриков с помощью СЗМ
4.1 Разработка технологии изготовления проводящих кантилеверов с покрытием на основе тугоплавких соединений для исследования сверхтонких пленок сегнетоэлектриков методами СЗМ
4.2 Изготовление тестовых структур на основе сверхтонких пленок сегнетоэлектриков
4.3 Разработка методики измерения в локальных областях характеристик сегнетоэлектрических пленок толщиной менее 100 нм с использованием сканирующей зондовой микроскопии
Выводы к четвертой главе 121
Заключение 123
Список использованных источников 126
Приложение 1 135
