Исследование и разработка методов проектирования пассивных планарных СВЧ устройств

Юдин Павел Николаевич. Исследование и разработка методов проектирования пассивных планарных СВЧ устройств : Дис. ... канд. техн. наук : 05.12.07 : Санкт-Петербург, 2003 173 c. РГБ ОД, 61:04-5/1881
Автор
Юдин Павел Николаевич
Год
2003
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Математическое обеспечение систем параметрической оптимизации ппанарных свч устройств 14
1.1. Выбор поисковых методов 14
1.2. Метод случайного поиска 22
1.3. ЛП-поиск 25
1.4. Последовательности Холтона 27
1.5. Генетические алгоритмы 30
1.6. Выводы по главе 44
Глава 2. Реализация сапр пассивных СВЧ устюйств
2.1. Модель микрополосковой линии 46
2.2. Модель многосвязных линий передачи 49
2.3. Расчет S-параметров многосвязных пленарных линий (МПЛ) 56
2.4. Учет анизотропии диэлектрической подложки (сапфира) 65
2.5. Алгоритм расчета пассивных СВЧ устройств на многосвязных планарных линиях передачи 69
2.6. Программа расчета "Микрополосковые фильтры".. 74
2.7. Примеры расчета характеристик пассивных СВЧ устройств 81
2.8. Оптимизация топологической структуры микро-полосковых фильтров и резонаторов 89
2.9. Выводы по главе 96
Глава 3. Извлечение параметров феноменологической модели поверхностного импеданса ВТСП пленок 97
3.1. Использование ВТСП в СВЧ технике 97
3.2. Модель поверхностного сопротивления пленки высокотемпературного сверхпроводника
3.3. Реализация программы извлечения модельных параметров ВТСП пленок 104
3.4. Анализ чувствительности модели поверхностного импеданса ВТСП пленок к изменению параметров 108
3.5. Примеры извлечения параметров модели поверхностного импеданса ВТСП пленок
3.6. Выводы по главе 119
Глава 4. Извлечение модельных параметров диэлектрической проницаемости сегнето- электрических пленок 120
4.1. Основные свойства сегнетоэлектриков и их применение в СВЧ электронике 120
4.2. Феноменологическая модель диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрическои пленки 125
4.3. Расчет емкости сегнетоэлектрического планарного конденсатора 127
4.4. Алгоритм и реализация программы извлечения модельных параметров тонкой сегнетоэлектрическои пленки из экспериментальных характеристик 129
4.5. Примеры извлечения модельных параметров 134
4.6. Выводы по главе 143
Заключение 145
Литература 148
Приложение 1. Рекуррентный алгоритм генерации точек ЛГ последовательности 160
Приложение 2. Символьная модель простого генетического алгоритма 166
Приложение 3. Теорема шим 169

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Алпатова Анна Витальевна
Количество страниц
Год
2001
99 000 UZS
Автор
Железняк Алексей Робертович
Количество страниц
Год
2002
99 000 UZS
Автор
Белецкий Андрей Анатольевич
Количество страниц
Год
2002
99 000 UZS
Автор
Анахова Ирина Викторовна
Количество страниц
Год
2002
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3