Глава 1. Обзор литературы 13
1.1. Простые модели формирования барьера Шотки 13
1.2. Механизмы переноса тока в диодах Шотки . 18
1.2.1. Основные механизмы проводимости 18
1.2.2. Другие механизмы проводимости 22
1.3. Модели изменения барьера Шотки под действием приложенного обратного напряжения в присутствии постоянного поверхностного заряда 23
1.3.1. Снижение барьера из-за сил изображения 23
1.3.2. Снижение барьера, пропорциональное электрическому полю 24
1.3.3. Снижение барьера, пропорциональное электрическому полю, в диодах Шотки на основе силицид металла-кремний 25
1.3.4. Снижение барьера, пропорциональное электрическому полю, в диодах Шотки с промежуточным слоем 27
1.3.5. Снижение барьера, пропорциональное пространственному заряду, в диодах Шотки с промежуточным слоем 28
1.4. Модели снижения барьера с учетом изменения заряда поверхностных состояний под действием приложенного напряжения 29
1.4.1,Свойства поверхностных состояний 30
1.4.2. Снижение барьера в диодах Шотки под действием напряжения, поверхностные эффекты и коэффициент идеальности 31
1.4.3. Снижение барьера Шотки под действием напряжения с учетом вклада поверхностных состояний и других поверхностных эффектов 36
1.5. Методы измерения параметров барьера 39
Глава 2. Снижение барьера и рост тока в диодах Шотки с тонким окисным слоем при обратном напряжении, обусловленные суммарным действием вторичных поверхностных эффектов 42
2.1. Термоэмиссионный ток в слаболегированных диодах Шотки при обратном напряжении с учетом полевых эффектов 43
2.2. Моделирование снижения барьера в слаболегированных диодах Шотки с учетом основных поверхностных эффектов в условиях прохождения обратного термоэмиссионного тока 45
2.2.1. Высота барьера в диодах Шотки с тонким окислом 45
2.2.2. Структура поверхностного заряда в диоде Шотки для случая границы раздела с малой плотностью поверхностных состояний 48
2.2.3. Полное падение напряжения на окисном слое при обратном напряжении 49
2.3. Характеристики диода Шотки с тонким окисным слоем с учетом суммарного действия поверхностных эффектов на барьер и ток 50
2.3.1. Зависимость высоты барьера от обратного напряжения 50
2.3.2. Обратная вольтамперная характеристика диода Шотки с учетом основных поверхностных эффектов 52
Глава 3. Зависимость высоты барьера и тока в диоде Шотки от обратного напряжения и технологических параметров. Типы характеристик 54
3.1. Классификация характери стик 54
3.2. Типы зависимостей высоты барьера от обратного напряжения в диоде Шотки, соответствующие категории I 55
3.3. Типы зависимостей высоты барьера от обратного напряжения в диоде Шотки, соответствующие категории II 57
3.4. Типы зависимостей высоты барьера и тока от обратного напряжения в диоде Шотки, соответствующие категории III 58
3.4.1. Характеристики 1 и 2 типа
3.4.3. Характеристика 3 типа ^**BR,tD-VR-di3 в диоде Шотки типа 3 (1 нм < du < 2 нм) с двумя дискретными поверхностными уровнями донорного типа 62
3.4.4. Обсуждение характеристик 63
3.5. Типы вольтамперных характеристик IR—VR—din в случае суммарного влияния поверхностных эффектов на барьер при обратном напряжении в диодах Шотки с различными толщинами промежуточного (окисного) слоя 66
3.5.1. Несколько типов вольтамперных характеристик в диодах Шотки с тонким окисным слоем 67
3.5.2. Обсуждение обратных вольтамперных характеристик 68
3.5.3. Информация, получаемая из наборов характеристик IR~VR первого и второго типа в диодах Шотки с толстым и тонким окислом 69
3.6. Зависимость высоты барьера и тока от технологических параметров 69
3.7. Выводы к главе 3 73
Глава 4. Метод анализа данных зависимости высоты барьера от пространственного заряда полупроводника 74
4.1. Анализ данных по высоте барьера и по изменению заряда на поверхностных уровнях 74
4.2.Сравнение с другими методами анализа 79
4.3. Семейство характеристик 4 82
4.3.1. Семейство характеристик для описания зависимости высоты барьера от обратного напряжения 82
4.3.2. Семейство характеристик для описания зависимости термоэмиссионного тока от обратного напряжения 83
Глава 5. Применение обратных вольтамперных характеристик . для определения параметров барьера, параметров дискретных поверхностных уровней и толщины окисного слоя в диодах Шотки 85
5.1. Определение параметров барьера и дискретных поверхностных уровней на основе анализа зависимости высоты барьера щ от пространственного заряда Qsc 86
5.2. Графическое представление двух семейств характеристик для барьера и тока при обратном напряжении 91
5.3. О точности вычисления постоянной высоты барьера и изменений барьера 92
Выводы 94
Глава 6. Изучение влияния поверхностных эффектов на зависимость тока и высоты барьера от обратного напряжения в Au/n-Si поверхностно-барьерных детекторах излучений. Экспериментальная часть . 96
6.1. Поверхностно-барьерные кремниевые детекторы ядерных излучений 96
6.2. Интерпретация обратных вольтамперных характеристик и снижения барьера в Au/n-Si детекторах ядерных излучений на основе анализа зависимости высоты барьера <рг от пространственного заряда полупроводника Qsc 107
6.2.1. Интерпретация обратных вольтамперных характеристик первого типа и снижения барьера в Au/n-Si диодах 109
6.2.2. Интерпретация обратных вольтамперных характеристик второго типа и снижения барьера в Au/n-Si диодах 125
6.2.3. Интерпретация обратных вольтамперных характеристик других типов в Au/n-Si диодах 137
6.2.4. Влияние технологических параметров на ВАХ 138
Основные результаты и выводы 143
