Введение
ГЛАВА I. Ионная имплантация как метод управления электрофизическими и оптическими свойствами соединений
I.I Дефектообразование и термодинамика процессов равновесной самокомпенсации І О
1.2 Особенности радиационного дейектообразования вЛп^і .23
1.3 Ионное легирование соединений А В 2 J
Выводы. Постановка задачи JD
ГЛАВА II. Исследование электрических и оптических свойств низкоомных слоев Znpe f ионно-летированных In
2.1 Методика получения ионно-летированных индием слоев Zn$e . Измерение электрофизических параметров. . .39
2.2 Электрофизические параметры слоев селенида цинка, ионно-легированного индием ^Ь
6 2.3 Фотолюминесценция селенида цинка, имплантированного индием . «52.
S 2.4 Обсуждение результатов оО
ГЛАВА III. Дырочная проводимость селенида цинка, ионно-легированного мышьяком
3.1 Особенности приготовления ионно-легированных слоев Znpe р-гипа и методика измерения их электрофизических параметров S8
Я 3.2 Электрические и оптические характеристики слоев селенида цинка, и онно-легированного
$ 3.3 Обсуждение результатов
ГЛАВА IV Излучающие структуры с барьером Шоттки и имплантационным р-п-переходом на основе селенида цинка. . .32
4.1 Особенности излучающих структур на основе широкозонных соединений А В 32
4.2 Технология приготовления и методака исследования излучающих структур 100
5 4.3 Сравнительные исследования инжекционной электролюминесценции в структурах с барьером Шоттки и имплантационным р-п-переходом 102-
4.4 Обсуждение результатов 117
ЗАКЛЮЧЕНИЕ /2/
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ /22
