Введение
Анализ современных и перспективных проблем создания и диагностики гетерогенных твердотельных наносистем.
Особенности функционирования энергонезависимых микросхем памяти .
Методы и аппаратура измерения электрического потенциала и
электрофизических параметров микроэлектронных структур.
Электронно-зондовая и ИК- эмиссионная микроскопия .
Контактное микрозондовое тестирование.
Сканирующая зондовая микроскопия.
Сканирующая туннельная микроскопия.
Электростатическая силовая микроскопия.
Микроскопия сканирования емкости.
Сканирующие зондовые микроскопы.
Прецизионные сканирующие ионно - лучевые технологии .
Нанотехнологический комплекс на основе электронно-ионного сканирующего микроскопа.
Электронно-ионный сканирующий микроскоп Nova 600 NanoLab.
Создание кросс-секций.
Высокоселективное ионно-стимулированное осаждение и травление материалов с использованием газовой инжекционной системы .
Особенности использования газовой инжекционной системы.
Процесс осаждения платины (Pt).
Процесс осаждения диэлектрика (TEOS).
Процесс ускоренного травления материалов (ЕЕ).
Процесс селективного травления материалов в среде XeF2 (IEE).
Создание диагностических контактов на коммутационных токопроводящих шинах.
Создание мембран в локальных областях полупроводниковой структуры кристалла для «тонкого» структурного анализа методом сканирующей трансмиссионной электронной микроскопии.
Технологическая подготовка интегральных микросхем для проведения исследований методами атомно-силовой микроскопии.
Декапсуляция кристаллов интегральных микросхем для анализа с верхней стороны кристалла.
Рентгеновская интроскопия корпусов интегральных микросхем.
Методика локального декапсулирования кристалла интегральной микросхемы.
Подготовка образцов для зондовых исследований с нижней стороны кристаллов
Механическая обработка.
Селективная химическая полировка.
Химическая чистка поверхности.
Методы атомно-зондового контроля электрофизических и морфологических свойств гетерогенных твердотельных систем (интегральные микросхемы).
Сканирующая зондовая микроскопия.
Контактная атомно-силовая микроскопия.
3.1.2. Колебательные методики атомно-силовой микроскопии. 62
3.1.3. «Полуконтактный» метод атомно-силовой микроскопии . 64
3.1.4. Микроскопия электростатических сил.
3.2. Взаимодействие зонда и образца при приложении напряжения. 68
3.3. Методики измерения электрического потенциала с помощью сканирующей зондовой микроскопии.
Глава 4. Экспериментальные исследования электрофизических и морфологических свойств гетерогенных твердотельных наносистем 80 (сверхбольшие интегральные схемы). 85
4.1. Аппаратно-программный комплекс на базе сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) для исследований электрофизических и морфологических свойств гетерогенных твердотельных паноразмерпых систем.
4.2. Экспериментальные исследования пространственного, временного разрешения и чувствительности при измерении электрического потенциала на поверхности гетерогенных твердотельных объектов .
4.2.1. Тестовые структуры. 85
4.2.2. Калибровка измерительной системы. 86
4.2.3. Оценка пространственного разрешения метода МЗК. 87
4.2.4. Оценка временного разрешения методов ЭСМ и МЗК. 87
4.2.5. Оценка чувствительности измерений электрического потенциала на поверхности гетерогенных объектов методов ЭСМ и МЗК.
4.3. Экспериментальные исследования пространственного распределения концентрации электрически активных примесей в полупроводниковых областях кристаллов.
4.4. Исследования логических состояний энергонезависимой памяти с помощью аппаратно- программного комплекса методами СЗМ.
4.4.1. Экспериментальные исследования логических состояний ячеек памяти интегральной микросхемы Picl2C508a.
4.4.2. Экспериментальные исследования логических состояний ячеек памяти 98 интегральной микросхемы Picl6F84a.
4.4.3. Оценка возможности использования разрушающих (обратная сторона кристалла) методов сверхлокального контроля функциональных 112 областей памяти.
Выводы. 114
Литература. 1
