Введение
ГЛАВА I. Методы решения задач физики твердого тела 14
1. Квантовые методы 14
1.1. Метод самосогласованного поля и его полуэмпирические варианты 14
1.1.1. Метод Рутана 20
1.1.2. Расширенный метод Хюккеля (РЖ) 22
1.1.3. Метод полного пренебрежения дифференциальным перекрыванием (ПЩЩ) 23
1.1.4. Метод Х - РВ 25
1.1.5. Метод рекурсий 28
1.2. Параметризация полуэмпирических методов 31
1.2.1. Параметризация метода ППДП 32
1.2.2. Параметризация метода Х^- РВ 38
1.2.3. Параметризация метода рекурсий 45
1.3. Начальные и краевые условия, проблема сходимости к решению 46
1.4. Кластерное приближение 53
2. Статистический метод описания электронного газа.. 58
2.1. Обобщение статистической модели электронного газа на случай сверхсильных магнитных полей 64
3. Метод молекулярной динамики 78
3.1. Основные понятия метода Щ 79
3.2. Граничные и начальные условия 80
3.3. Потенциалы взаимодействия 83
3.4. Основные расчетные соотношения для тегоюфизи-ческих свойств среды в методе ВД 90
ГЛАВА II. Моделирование в двумерных системах 94
І. Механическая устойчивость двумерной системы... 99
I.I. Уравнения динамики двумерной решетки 100
2. Термодинамика двумерного кристалла 111
3. Модель однокомпонентной двумерной классической плазмы . 112
4. Кривая плавления в двумерной системе 122
5. Численные эксперименты в двумерной системе 126
5.1. Кулоновская и дипольная системы 126
5.2. Леннард-ддонсовская система 134
ГЛАВА III. Моделирование процессов адсорбции на поверхности твердого тела 141
1. Особенности характера химических связей у поверхностных и объемных атомов алмаза, кремния и германия 151
2. Потенциальный рельеф грани (100) германия 155
3. Модель перестройки грани (100) германия 158
4. Хемосорбция газов на германии и никеле 160
4.1. Кислород на поверхности германия 160
4.2. Молекула кислорода на поверхности германия 164
4.3. Десорбция моноокиси германия с поверхности германия 167
4.4. Адсорбция молекулы воды на поверхности германия.. 168
4.5. Адсорбция переходных металлов на гранях (III) и (100) германия 171
4.6. Адсорбция газов 0, 02, Н, Н2, ОН, Н20 на идеальных гранях (III) и (100) никеля 175
5. Электронные состояния неидеальных поверхностей... 182
5.1. Объемные и поверхностные электронные состояния алмазоподобных полупроводников 183
ГЛАВА ІV. Точечные дефекты в полупроводниках 187
1. Осцилляции в сечении неупругих потерь при рассеянии частиц на атомах кристалла 192
2. Дефекты типа смещенных атомов в кремнии 197
3. Расчет энергетических характеристик вакансионного типа в кремнии 203
ГЛАВА V. Примесные центры и экситоны в магнитном поле 209
1. Водородоподобные и гелиеподобные примесные центры в магнитном поле 212
1.1. Н-центры в сильном магнитном поле 215
1.2. Гелиеподобные примесные центры в сильном магнитном поле 220
2. Биэкситон ел:~ и в.хХ в сильном магнитном поле 224
3. Интерполяционная модель уравнения состояния вещества в сильном магнитном поле 230
4. Квантование Ландау при построении уравнения состояния среды в сверхсильном магнитном поле... 242
5. Сравнение результатов расчета с данными эксперимента и расчетами других авторов 246
Заключение 249
