Введение
ГЛАВА I. Электроны в висмуте 7.
1.1. Кристаллическая структура висмута 7.
1.2. Удвоение периода решетки 8.
1.3. Полуметаллы 9.
1.4. Квантовые осцилляции восприимчивости и проводимости. Форма электронной и дырочной поверхностей Ферми 9.
1.5. Циклотронный резонанс. Эффективные массы 12.
1.6. Магнитоплазменные волны. Концентрация носителей тока 15.
1.7. Магнитные поверхностные уровни. Скорость электронов 17.
1.8. Зонная структура висмута 18.
1.9. Деформационная теория 23.
1.10. Модели спектра электронов 25.
1.11. Электроны у поверхности висмута 28.
ГЛАВА II. Принципы СТМ 33.
2.1. Туннельный эффект 33.
2.2. Принцип работы туннельного микроскопа 35.
2.3. Туннелирование в атомном масштабе 37.
2.4. Сканирующая туннельная спектроскопия 43.
2.5. Основы конструкции СТМ 46.
ГЛАВА III. Техника эксперимента 54.
3.1. Криостат для низкотемпературных СТМ исследований 54.
3.2. Конструкция СТМ 60.
3.3. Методика изготовления игл для СТМ 74.
3.4. Приготовление образцов висмута 77
3.5. Техника измерений и управление СТМ 80
ГЛАВА IV. Исследование поверхности висмута методами СТМ 85.
4.1. Структурные СТМ исследования поверхности висмута 85.
4.2. Туннельные спектры на поверхности висмута 87.
4.3. Режим вакуумного туннелирования 90.
4.4. Туннельная спектроскопия тригональной поверхности и поверхности двойниковой прослойки 93.
4.5. Поверхностные электронные состояния в висмуте 105.
Заключение 114.
Список литературы 118.
