Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения

Комков Олег Сергеевич. Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 СПб., 2006 126 с. РГБ ОД, 61:06-1/947
Автор
Комков Олег Сергеевич
Год
2022
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Гл. 1. Влияние электрического поля на оптические свойства полупроводников (обзор литературы)
1.1. Эффект Франца-Келдыша в кристаллах 15
1.2. Учёт экситонных эффектов 21
1.3. Квантоворазмерный эффект Штарка 26
1.3.1. Уровни размерного квантования в квантовых ямах 26
1.3.2. Влияние электрического поля на уровни размерного квантования 28
1.3.3. Экспериментальные работы по наблюдению влияния внешнего электрического поля на одиночные квантовые ямы 32
1.4 Фото- и электроотражение как методы исследования полупроводниковых материалов и структур 36
1.4.1. Исследование GaAs методами фото- и электроотражения 40
1.4.2. Фото- и электроотражение квантовых ям 43
Выводы по 1 главе 46
Гл. 2. Экспериментальная установка и исследованные образцы
2.1. Модернизация установки для измерения спектров фото- и электроотражения 48
2.1.1. Функциональная схема и аппаратурная реализация 49
2.1.2. Технические данные модернизированной установки 52
2.1.3. Методика измерений спектров фото- и электроотражения ..54
2.2. Характеристики исследованных образцов
2.2.1. Образцы эпитаксиальных слоев GaAs 56
2.2.2. Образцы одиночных квантовых ям (In,Ga)As/GaAs 59
Выводы по 2 главе 63
Гл. 3. Исследование эпитаксиальных слоев GaAs
3.1. Определение напряжённости внутреннего электрического поля по спектрам фото- и электроотражения
3.1.1. Традиционный метод 65
3.1.2. Определение напряжённости с учётом вклада тяжёлых и лёгких дырок (метод быстрого преобразования Фурье) 69
3.2. Бесконтактная характеризация эпитаксиальных слоев сверхчистого GaAs 74
3.2.1. Результаты исследования GaAs методом фотоотражения при комнатной температуре
3.2.1 .а. Область энергий hco>Eg. 74
3.2.1.6. Область энергий fcco3.2.2. Исследование GaAs методом фотоотражения при низкой температуре 83
Выводы поЗ главе 87
Гл. 4. Исследование одиночных квантовых ям InGaAs/GaAs
4.1. Влияние внешнего электрического поля на одиночную квантовую яму 89
4.2. Экспериментальные результаты и их обработка
4.2.1. Идентификация оптических переходов в квантовой яме...91
4.2.2. Влияние электрического поля на энергетический спектр одиночной КЯ (In,Ga)As/GaAs 96
4 4.2.3. Выявление механизмов модуляции, ответственных за формирование спектров фото- и электроотражения одиночных квантовых ям 100
4.3. Изменение вероятности оптических переходов в КЯ под действием электрического ПОЛЯ 107
Выводы по 4 главе 110
Заключение 112
Литература 113

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Агеева Надежда Николаевна
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Дорохин Михаил Владимирович
Количество страниц
Год
2007
99 000 UZS
Автор
Горбатюк Андрей Васильевич
Количество страниц
Год
2002
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3